氮化镓市场调研报告（2007版） - 研究报告（半导体器件）－全球企业门户

氮化镓作为重要的III-V 族化合物材料，可制成高效蓝、绿光发光二极管和激光二极管，随着氮化镓半导体器件的问世，以氮化镓为基础的LED的全彩化以及白光LED产品的开发成为了目前全球半导体研发前沿和热点。其中基于氮化镓GaN材料的高亮度功率型半导体照明是化合物半导体乃至整个光电子和半导体产业界的研发热点，发展前景极其广阔。届时，还将带来IT行业存储技术的革命。

本报告共分为十个部分，分别考察了氮化镓市场、产业状况，生产设备状况，以及作为白光照明关键材料白光荧光粉状况，最后对发展氮化镓的政策资源以及产业基地进行了论述，并提出了行业发展建议。报告内容撰写是基于大量调研基础上完成的，希望对行业内企业、投资者及关注本项目的发展机构等提供参考帮助。

该调研报告的提纲内容如下:

1 氮化镓材料概述
　1.1 氮化镓材料的重要性
　1.2 氮化镓的发展
　1.3 氮化镓基器件及应用

2 氮化镓材料晶体结构、衬底材料以及工艺技术现状
　2.1 氮化镓晶体结构特点
　2.2 氮化镓外延生长工艺
　2.3 全球及我国研发现状
　2.4 我国氮化镓技术现状
　2.5 氮化镓专利情况

3 氮化镓市场与产业现状与发展
　3.1 全球市场现状与发展
　　3.1.1 飞速膨胀的氮化镓市场
　　3.1.2 氮化镓市场规模与组成
　　3.1.3 全球氮化镓产能及价格
　3.2 氮化镓各主要应用市场
　　3.2.1 高亮度LED市场
　　3.2.2 激光器LD市场
　3.3 氮化镓产业现状与发展
　　3.3.1 氮化镓产业链结构
　　3.3.2 全球氮化镓产业现状

4 境外氮化镓生产企业现状与发展
　4.1 日本
　4.2 美国
　4.3 欧洲
　4.4 台湾
　4.5 韩国

5 我国氮化镓市场与产业现状与发展
　5.1 我国氮化镓市场现状
　　5.1.1 我国氮化镓类产品市场供需与产能现状
　　5.1.2 我国高亮度LED市场现状与发展
　5.2 我国氮化镓产业现状
　5.3 我国氮化镓厂商现状

6 氮化镓生产设备及衬底材料产业状况
　6.1 氮化镓的MOCVD设备
　　6.1.1 金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）概述
　　6.1.2 氮化镓MOCVD市场现状
　　6.1.3 我国MOCVD设备现状
　　6.1.4 MOCVD设备生产厂商
　6.2 分子束外延（MBE）设备
　　6.2.1 分子束外延（MBE）设备概述
　　6.2.2 分子束外延（MBE）设备市场现状
　　6.2.3分子束外延（MBE）设备生产厂家
　6.3 刻蚀（Etch）设备
　　6.3.1 刻蚀（Etch）概述
　　6.3.2 刻蚀（Etch）设备生产厂家
　6.4 氮化镓衬底材料的选择与生产
　　6.4.1 氮化镓衬底材料的选择
　　6.4.2 氮化镓衬底材料的生产厂家

7 白光LED用荧光粉
　7.1 白光LED照明用光源发展
　　7.1.1 白光LED照明用光源的兴起
　　7.1.2 LED荧光粉的种类
　　7.1.3 白光LED实现方式
　7.2 白光LED荧光粉市场与产业现状
　7.3 我国白光LED产业现状
　7.4 白光荧光粉厂商现状
　　7.4.1 国外厂商
　　7.4.2 国内厂商
　7.5 LED荧光粉专利情况

8 氮化镓政策资源
　8.1 美国产业政策
　8.2 日本产业政策
　8.3 韩国产业政策
　8.4 欧盟产业政策
　8.5 台湾地区产业政策　8.6 我国产业政策

9 国家级产业基地

10 对我国氮化镓项目的行业发展建议
调研报告中图、表目录：
图1-1：半导体化合物
图1-2：LED发展历程
图1-3：氮化镓市场应用市场比重领域
图1-4：LED产品
图1-5：不同衬底材料蓝紫色氮化镓激光芯片的比较图
图1-6：氮化镓HEMT结构
图2-1：氮化镓基材料和其他一些半导体材料的禁带宽度和晶格常数的关系
图2-2：双气流MOCVD生长GaN装置
图2-3：住友电工DEEP方法
图3-1：氮化镓市场构成
图3-2：全球氮化镓市场规模
图3-3：世界各主要地区氮化镓年复合增长率
图3-4：2003～2006年全球GaN芯片月产能区域布状况
图3-5：未来照明型LED价格走向
图3-6：全球高亮度LED材料市场概况及预测
图3-7：全球高亮度LED市场
图3-8：各种应用领域高亮LED应用市场预估
图3-9：2006年全球LED制造厂商市占率比重
图3-10：氮化镓激光器市场变化
图3-11：LED产业链结构
图3-12：氮化镓产业链条
图3-13：全球氮化镓产业布局
图5-1：2006年我国LED芯片材料的市场销售额比例
图5-2：我国LED市场规模及增长率变化
图5-3：中国高亮度LED市场概况
图5-4：国内氮化镓芯片产能预估
图5-5：我国国内GaN芯片市场规模
图5-6：我国氮化镓产业布局
图6-1：MOCVD市场占有率
图6-2：沈阳科仪高真空MOCVD型外延系统
图6-3：中电48所生产的GaN MOCVD设备
图6-4：AIXTRON RF200/4 RF-S GaN/AlGaN MOCVD设备
图6-5：Veeco的TurboDisc K300 GaN MOCVD 系统
图6-6：英国Thomas Swan公司的MOCVD设备
图6-7：分子束外延（MBE）设备
图6-8：Omicron MULTIPROBE 2''和4''晶圆MBE设备
图6-9：OxfordV100MBE 设备
图6-10：等离子体刻蚀原理示意图
图6-11：埃德万斯双离子束刻蚀系统
图6-12：中科院微电子研究所生产的刻蚀设备
图6-13：德国SENTECH的刻蚀设备
图7-1：不同荧光粉种类的发光效率
图7-2：白光LED主要是实现方式
图7-3：全球白光LED市场规模
图7-4：大连路明发光科技LMS系列荧光粉
图7-5：北京中村宇极科技生产LED荧光粉粉末
图8-1：日本“21世纪光计划”路线图
图8-2：中国半导体照明产业发展方向
图9-1：中国六大半导体照明产业化基地

表1-1：GaN主要应用领域以及终端产品
表2-1：列出了纤锌矿GaN和闪锌矿GaN的特性比较
表2-2：制备GaN薄膜的几种主要方法、监测系统及应用范围的比较
表2-3：国内GaN基LED产业化主要技术指标
表3-1: 全球高亮度LED材料市场预测
表3-2：全球主要LED企业在产业链上的分布
表3-3：中国LED产业链个环节主要厂商和产能
表3-4：全球氮化镓主要企业
表3-5：国际主要 LED 企业竞争格局
表4-1：Epiplus生产的GaN产品
表5-1：我国氮化镓产业链
表5-2：我国氮化镓企业统计
表6-1：各主要MOCVD企业技术特点
表6-2：MOCVD设备订购情况
表6-3：沈阳科仪高真空MOCVD产品说明
表6-4：Veeco的分子束外延系统
表6-5：三种常见的干法刻蚀比较
表6-6：SAMCO化合物半导体刻蚀设备
表6-7：牛津仪器等离子设备
表6-8：LED衬底材料主要生产企业
表6-9：国内外蓝宝石衬底材料主要厂商
表7-1：不同类型灯与LED灯的比较
表7-2：白光LED实现方式
表7-3：厦门量子星产品性能指标
表7-4：大连路明发光科技公司的LMY系列白光LED粉
表7-5：北京中村宇极科技LED荧光粉产品
表8-1：日本21世纪半导体照明主要研究领域
表8-2：欧盟“彩虹计划”研究成果
表9-1：大连半导体照明产业分布
表9-2：厦门半导体照明产业链分布
表9-3：半导体照明产业化基地分析