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中科院微电子所在高密度…
【产通社,7月18日讯】中国科学院微电子研究所(Microelectronice of Chinese Academy of Sciences)官网消息,其新技术开发部微系统技术实验室焦斌斌研究员团队在高密度低应力硅通孔(TSV)研究方面取得新进展。三维(3D)集成技术是制造低功耗、高性能和高集成密度器件的必备技术,有望突破摩尔定律限制。TSV作为3D集成的核心技术,具有缩短互连…
(2024年7月18日 8时51分 作者:) 
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