加入收藏
 免费注册
 用户登陆
首页 展示 供求 职场 技术 智造 职业 活动 视点 品牌 镨社区
今天是:2025年6月17日 星期二   您现在位于: 首页 →  技术 → 研究报告(半导体器件)
2013年集成电路布图设计专有权分析
2015/3/29 12:28:15    

2013年在移动智能终端、物联网及汽车电子等领域的发展推动下,全球集成电路产业从2012年疲弱的状态下缓慢恢复。国内集成电路产业在《集成电路产业“十二五”发展规划》和产业发展相关政策的支持下,保持了较快增长的势头。工信部3月发布的《2013年集成电路行业发展回顾及展望》中指出国内集成电路产业整体复苏态势强劲,产销增长加快,效益大幅提升,全年产业销售产值同比增长7.9%,规模为2693亿元;累计生产集成电路866.5亿块,同比增长5.3%。

根据国家知识产权局网站集成电路专有权公告,自2001年10月1日至2013年12月31日,在中国登记公告的布图设计总计8161件(包括国外的专利权人和个人在中国登记的所有布图设计专有权,以公告日期为准),呈现逐年递增态势,较好地保护了布图设计专有权人的利益。


1. 全国集成电路布图设计登记公告量年度分布


自2001年10月1日至2013年12月31日已公告的全国集成电路布图设计登记总量达8161件,其中我国大陆专利权人及个人布图设计登记7156件,占总量的87.7%。港、台地区布图设计登记161件,占总量的2.0%(其中台湾142件,香港19件)。国外布图登记801件,占总量的9.8%(其中美国631件、日本131件、韩国12件、南非8件、开曼群岛8件、法国2件、加拿大3件、新加坡2件、俄罗斯2件、几内亚1件、芬兰1件)。另有43件网站未公布设计权利人国籍/省市。


2. 全国布图设计登记省市排名情况


截止2013年12月31日,上海集成电路专利权人布图设计登记数量达2079件,占全部总量的25.5%。居全国第二、第三、第四的省市分别为:江苏省1286件(占全国总量的15.8%),广东省1065件(占全国总量的13.0%),北京市805件(占全国总量的9.9%)。上述排名前4位地区的集成电路布图设计专有权累计数量占国内申请总量的64%,地区优势明显。
从地区分布来看,国内集成电路布图设计专有权的分布主要集中在长三角地区,其次是北京和广东。


3. 重点地区、国家布图设计数量对比情况


除2009年受外部经济环境的影响之外,中国集成电路布图设计都保持着较高的增长趋势。上海专利权人集成电路布图设计申请量2013年数量稍有下降,但自2001年至2013年累计超过2000件;江苏布图申请量逐年稳步上升,2013年继续保持了较高的申请量。与此同时,美国专利权人逐渐重视在中国的集成电路布图登记,从2005年开始逐渐加大了在中国的申请力度。特别是美国亚德诺半导体公司在2012和2013年都登记了超过100件布图,远高于国内外其它专利权人的申请量。日本专利权人集成电路布图设计申请量急剧减少,自2010年开始基本为零。


4. 集成电路布图设计专有权的产品分布


已经登记的集成电路布图设计涉及的产品,按结构分类主要包括MOS, Bipolar, Bi-MOS,Optical-IC等。其中MOS所占比重最大,有6126件,约占74%左右;其次是Bipolar,有895件,约占11%;再次是Bi-MOS,约占7%。

查询进一步信息,请访问官方网站http://www.ssipex.com,或垂询(86-21)6115 4610。

→ 『关闭窗口』
 newswire
 [ → 我要发表 ]
上篇文章:2013年集成电路布图设计专有权分析
下篇文章:中国集成电路设备材料类专利分析(2014版)
→ 主题所属分类:  研究报告 → 半导体器件
 热门文章
 如何申请EtherCAT技术协会(ETG)会员资格 (186549)
 台北国际计算机展(COMPUTEX 2015)参展商名… (106202)
 上海市集成电路行业协会(SICA) (94310)
 USB-IF Members Company List (84573)
 第十七届中国专利优秀奖项目名单(507项) (76430)
 苹果授权MFi制造商名单-Authorized MFi Lic… (71549)
 台北国际计算机展(COMPUTEX 2015)参展商名… (69579)
 中国130家太阳能光伏组件企业介绍(3) (56720)
 PLC论坛 (53489)
 中国130家太阳能光伏组件企业介绍(2) (49984)
 最近更新
 一本面向设计工程师精心修订和更新的《ESD应用手册… (3月10日)
 表皮电子学的代表作:石墨烯纹身 (2月26日)
 在晶圆级大规模生产中引入脉冲激光沉积(PLD)技术 (1月21日)
 你听说过PiezoMEMS技术吗? (1月21日)
 旨在挑战EUV的纳米压印光刻技术(Nanoimprint L… (1月3日)
 新UV光刻机专利显著提高能效并降低半导体制造成本 (11月6日)
 将GaN极性半导体晶圆的两面用于功能器件 (9月30日)
 驱动增强终端侧生成式AI体验的技术:LoRA (6月11日)
 AI TOPS和NPU性能指标指南 (6月11日)
 驱动增强终端侧生成式AI体验的技术:多模态生成式AI (6月11日)
 文章搜索
搜索选项:            
  → 评论内容 (点击查看)
您是否还没有 注册 或还没有 登陆 本站?!
关于我们 ┋ 免责声明 ┋ 产品与服务 ┋ 联系我们 ┋ About 365PR ┋ Join 365PR
Copyright @ 2005-2008 365pr.net Ltd. All Rights Reserved. 深圳市产通互联网有限公司 版权所有
E-mail:postmaster@365pr.net 不良信息举报 备案号:粤ICP备06070889号