加入收藏
 免费注册
 用户登陆
首页 展示 供求 职场 技术 智造 职业 活动 视点 品牌 镨社区
今天是:2024年5月8日 星期三   您现在位于: 首页 →  技术 → 半导体器件(技术聚焦)
采用自对准接触工艺的45纳米制程1Gb NOR闪存
2008/7/23 12:20:25    英特尔网站

《一款采用自对准接触工艺的45纳米制程1Gb NOR闪存,具备5MB/s编程速度(A 45nm Self-Aligned-Contact Process 1Gb NOR Flash with 5MB/s Program Speed)》介绍的设计将最小的可靠闪存单元、5MB/sec编程性能的先进45纳米技术、最小的外围电路和稳健的感应配置集于一身。为降低生产成本并提供更高的性能,必须迅速过渡到下一技术节点。要市场上取胜,全新的45纳米光刻技术必须将每字节成本降低50%,同时提供更高的编程性能。然而,每一代的光刻技术都证明,很难制造出可靠的闪存多层单元(MLC)并降低阵列周围的外围电路对晶片尺寸的影响,对于低密度产品而言尤其困难。

本文介绍了自对准接触(SAC)工艺架构,该架构有助于减小单元尺寸并提高闪存单元的可靠性。

为实现5MB/s的编程性能,需要开发一系列新型电路技术。这包括更大的编程带宽、更快的校验模式、高电压模式中更高的回转速率、程序微码的最大吞吐量,以及更低的控制硬件延迟。

采用了创新的电路技术克服有害作用,如单个单元电荷损失/增益、 感应电荷损失,以及随机电报信号噪声等。

输入补偿更低、元件数量更少的全新感知配置扩大了MLC的感知范围。研究结果表明,1 sigma Vt错配的输入补偿电压不到1mV,感知放大补偿(SAOS)减少了70%。

要实现1Gb的晶片尺寸达到30平方毫米这一远大目标,行地址解码器、块冗余配置、电荷泵和逻辑电路中的外围电路必须进行更多改进。

更多信息,请访问英特尔http://blogs.intel.com/china

→ 『关闭窗口』
 dav
 [ → 我要发表 ]
上篇文章:采用45纳米高K CMOS技术的153Mb-SRAM设计
下篇文章:采用90纳米CMOS工艺的39.1G-41.6GHz SD小数分频频率…
→ 主题所属分类:  半导体器件 → 技术聚焦
 热门文章
 如何申请EtherCAT技术协会(ETG)会员资格 (166992)
 台北国际计算机展(COMPUTEX 2015)参展商名… (104302)
 上海市集成电路行业协会(SICA) (90679)
 USB-IF Members Company List (82632)
 第十七届中国专利优秀奖项目名单(507项) (74278)
 台北国际计算机展(COMPUTEX 2015)参展商名… (67879)
 苹果授权MFi制造商名单-Authorized MFi Lic… (67179)
 中国130家太阳能光伏组件企业介绍(3) (55213)
 PLC论坛 (52151)
 中国130家太阳能光伏组件企业介绍(2) (48495)
 最近更新
 英特尔用于下一代先进封装的玻璃基板(Glass Subs… (4月29日)
 EUV光刻技术回眸:Trumpf、Zeiss和ASML的… (4月3日)
 为Al设计的NPU与其他处理器共同加速生成式AI体验 (3月9日)
 英特尔为未来数据中心开发的处理器芯片新技术 (2月23日)
 压电技术使手机屏幕直接变成高质量话筒 (2月14日)
 PCB基础知识及设计软件概述 (2月2日)
 国家文化和科技融合示范基地名单(含第五批) (1月24日)
 国家文化和科技融合示范基地认定管理办法(试行) (1月24日)
 隐身衣逐步走进现实:光学隐身衣、电磁波隐身衣 (10月30日)
 电子电路常用电子元件名称缩写及中英文对照 (10月17日)
 文章搜索
搜索选项:            
  → 评论内容 (点击查看)
您是否还没有 注册 或还没有 登陆 本站?!
关于我们 ┋ 免责声明 ┋ 产品与服务 ┋ 联系我们 ┋ About 365PR ┋ Join 365PR
Copyright @ 2005-2008 365pr.net Ltd. All Rights Reserved. 深圳市产通互联网有限公司 版权所有
E-mail:postmaster@365pr.net 不良信息举报 备案号:粤ICP备06070889号