英特尔开发了业界首个45纳米高-K栅介质+金属栅极工艺，与其65纳米制造工艺相比，它能提供2倍的芯片上晶体管密度，漏电量减少10倍，切换频率提高27%。基于这项技术，英特尔开发了一款高性能、低功耗的 SRAM。英特尔已经推出了32款基于其45纳米高-K金属栅极技术的产品。

英特尔的45纳米制程SRAM充分利用了高-K栅介质+金属栅极晶体管技术在功耗和性能等规模上的显著优势，并且它支持比原来大50%的片上L2（6MB）缓存，用于第二代英特尔Core 2 Duo和Core 2 Quad处理器的快速大量生产。小型SRAM单元有利于在处理器内集成更大容量的缓存，从而帮助其提高性能。

英特尔的SRAM设计为大批量生产展示了稳健时间控制配置，与高效的功率管理电路一起，使电路能更好地适应型号变化，并有助于提高生产成品率。

英特尔开发了第二代动态休眠技术，进一步最大限度地降低大型缓存在所有进程、电压和温度变化状态下的功耗。这一增强型设计使得英特尔能进一步降低片上缓存的功耗。
英特尔还开发了一种叫做动态体偏压（dynamic body biasing）的新型电路技术，可进一步提高SRAM单元未来的可扩展性。

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