【产通社，9月29日讯】北京赛微电子股份有限公司（Sai MicroElectronics Inc.；股票代码：300456）官网消息，第23届中国集成电路制造年会暨2020年广东集成电路产业发展论坛9月17日在广州召开，董事长兼总经理杨云春、子公司瑞典Silex董事聂铁轮、子公司聚能晶源&聚能创芯总经理袁理应邀参加了此次会议。

瑞典Silex董事聂铁轮：MEMS市场已延伸为微器件加工中心

瑞典Silex董事聂铁轮讲述了赛微电子及其旗下子公司赛莱克斯国际、赛莱克斯北京等公司的发展历程及业务优势。在他看来，MEMS市场已经从早期的传感器器件延伸为微米级的微器件加工中心，终端用户直接需求向“高端定制研发、小批量、多品种”转变，同时随着跨界新行业需求成为主流，产品开发和工艺一体化的服务需求逐渐成为主流，在此背景下，赛莱克斯拥有的多种先进加工工艺及400多种传感器的研发经验，为其吸引客户、开拓市场提供了强有力的保证。

目前赛莱克斯北京正在国内建设一条8英寸MEMS国际代工线，该产线代表了MEMS领域的先进水平与规模产能，建成投产后将为全球MEMS产品客户的研发和量产提供成熟的技术支持和产能保障。如今，中国集成电路产业进入高速成长期，依托公司的技术、团队优势，赛微电子的MEMS业务必将迎来新一轮的快速发展。

聚能晶源&聚能创芯总经理袁理：GaN功率器件优势

聚能晶源&聚能创芯总经理袁理以“基于GaN材料与器件技术，打造国产化新型功率器件供应链”为题，分享了GaN功率器件的优势及公司在GaN材料与器件研发方面做出努力及成绩。

作为第三代半导体，GaN器件得益于材料优势，在速度、效率、耐高温、抗辐照等方面均优于传统硅器件，在功率领域具有广泛的应用前景。在此背景下，赛微电子着手布局了聚能晶源与聚能创芯项目，开展GaN材料与器件的产业化工作。聚能晶源先后攻克了GaN与Si材料之间晶格失配、大尺寸外延应力控制、高耐压GaN外延生长等技术难关，于2018年底成功研发出具备全球领先水平的8英寸硅基GaN外延晶圆，该晶圆具有高耐压、耐高温、低漏电、低成本等优点。2020年4月，聚能创芯成功开发650V系列GaN功率器件产品，并发布基于该系列GaN功率器件的PD快充应用示例，为目前需求旺盛的GaN快充领域提供了高性能、高性价比的全国产技术解决方案。

基于两项目实施，赛微电子可实现GaN材料、器件与应用的国产化供应，为5G通讯、智能终端、大数据自动驾驶等领域提供新型功率器件产品和应用开发服务。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.smeiic.com/news/257.html。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）