【产通社，12月11日讯】恒忆（Numonyx, B.V.）网站消息，其以PCM专家、存储器技术会议共同主席身份被邀参与2009国际电子元件会议（IEDM），并公布了关于相变存储器(PCM)的最新成果，这是一个世界上报道半导体和其它电子设备的技术，设备，物理和模型的主要论坛。

“今年IEDM会议上PCM成为热点正是PCM成为当今和未来增长利益和信誉的凭据，”恒忆技术研发副总裁说，“除了进一步加强PCM技术， 我们及我们的合作伙伴的研究成果显示这种技术可以满足大部分非易失性存储器（NVM）设备的需求，从高密度存储等级存储器到针对单芯片整合的逻辑植入存储器。总之，PCM是一个强大的多功能的NVM解决方案。”

12月7号，恒忆研发人员Roberto Bez在一个存储器技术会议上发表题为“氧族化合物PCM：未来十年的存储器技术”的演讲。他将描述PCM是唯一替代非易失性存储器（NVM）的选择，那代表了进入广阔市场及成为未来十年主流存储器技术的能力。因为融合了NVM及DRAM的元器件所具有的一些新特性，PCM对新的应用极具吸引力，既是经久的，又是创新性的技术。

之后，意法半导体研究者携恒忆发表了题为“ 针对90nm及以上植入性非易失性存储器应用的相变存储器技术”。首次，意法半导体和恒忆能够完全将一个4Mb的PCM宏单元整合到90nm CMOS平台。这为PCM应用于嵌入性NVM设备如智能卡及工业微控制器铺平了道路。

另一篇名为“一种45nm级相变存储器技术”的文章表明PCM首次达到45nm的光刻尺寸。恒忆已经在90nm生产了128Mb的PCM设备，而在这篇文章中，恒忆在1Gb产品上实现了45nm级PCM技术，有效单元尺寸达0.015um2。恒忆研究者报道了良好的电特性和可靠性结果，核实了PCM已经成熟到成为高密度NVM应用的主流技术。

另外，恒忆也联合英特尔公司发表了一篇题为“可堆叠式交叉点相变存储器”的文章。研究者首次展示了在一个64Mb的测试单芯片中，可以堆叠和放置多层PCM阵列。这些为创建更大容量，更低电耗的存储器设备，最佳节省空间的随机存取非易失性存储器和存储应用奠定了基础。

查询进一步信息，请访问http://www.numonyx.com/China/About/PressRoom/Releases/Pages/PCMResearchResults.aspx.