【产通社，12月10日讯】联华电子（UMC）消息，在9日于美国巴尔的摩举办的2009国际电子元件会议(International Electron Device Meeting, IEDM)中，发表了其独特的28纳米制程混合型高介电系数/金属闸极(HK/MG)技术。此项方案结合了nMOS的Gate-first制程优点，以及pMOS的Gate-last特性等两项优势，与仅用Gate-first制程相比，此方法可强化电晶体效能高达30%。

“拥有创新的精神，一直是在进行先进技术开发时的关键因素。”，联华电子先进制程开发处副总简山杰表示，“此次发表的成果，展现了联华电子在构思与开发多种不同解决方案上坚实的能力，充分运用了由现有HK/MG制程选项中所学习到的经验，来因应今日对尖端产品与应用上与日俱增的需求。”

业界现有两种不同的HK/MG整合方案同时并行，分别为Gate-first与Gate-last。以Gate-first而言，HK/MG系于闸极成型之前即置入，而Gate-last或称Replacement metal gate，金属闸极则是于多晶硅假闸极成型之后填入，旋即移除假闸极。除了拥有此次新提出的混合型技术之外，自从业界采用Gate-last技术量产CPU之后，联华电子也一直致力于Gate-last技术之开发。联华电子的先进制程开发系于其台南厂区的12吋晶圆厂与研发中心进行中。

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