【产通社，4月18日讯】上海芯导电子科技有限公司（Shanghai Prisemi Electronics；股票代码：688230）2021年年度报告显示，其在报告期内积极推动新技术开发，特别是在第三代半导体，公司领先布局，率先推出GaN HEMT及相应驱动芯片方案，已在多家客户端进行测试验证。同时还在不断更新迭代更低损耗、更高性能、更小尺寸的MOSFET、TVS、SBD等功率器件产品。

配合公司第三代半导体650V GaN HEM器件的高整合度驱动器芯片，在2021年顺利通过了流片验证，预计在2022年批量投产，可广泛应用于大功率智能手机充电器及大能量密度的LED照明等产品，有利于终端产品小型化；基于手机平台CPU的DCDC系列产品，具有大电流高效率特点，2021年度已完成流片验证，预计于2022年进入量产；大电流半压充电IC产品，具有充电效率高等特点，是当前手机平板产品中大功率充电的重要解决方案，已经进入到流片验证阶段，预计2022年底进入量产；同时，具有高精确度、高效率，高稳定性降压型高压大电流系列及升降压大电流系列产品，此系列产品适用于消费类电子、工业及车载等应用终端，也于2021年提上开发设计日程。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.prisemi.com。（张怡，产通发布）    （完）