Microchip新3.3kV碳化硅(SiC)MOSFET和肖特基势垒二极管 |
2022/4/2 14:54:22 |
|
|
|
|
| |
|
 【产通社,4月2日讯】美国微芯科技公司(Microchip Technology;NASDAQ股票代号:MCHP)消息,其扩大碳化硅产品组合,推出业界导通电阻【RDS(on)】最低的3.3kV碳化硅MOSFET和额定电流最高的碳化硅SBD,让设计人员可以充分利用其耐用性、可靠性和性能。这些碳化硅产品组合为电气化交通、可再生能源、航空航天和工业应用的设计人员开发更小、更轻和更高效的解决方案提供了便利。 Microchip分立产品业务部副总裁Leon Gross表示:“我们专注于开发能为客户提供快速实现系统创新能力的解决方案,并帮助其最终产品更快地取得竞争优势。我们全新的3.3 kV碳化硅功率产品系列能够让客户轻松、快速而充满信心地采用高压碳化硅,与基于硅的设计相比,这一激动人心的技术带来的诸多优势能让客户从中受益。” 产品特点 许多基于硅的设计在提高效率、降低系统成本和应用创新方面已经达到极限。虽然高压碳化硅为实现这些目标提供了一种有效的替代方案,但到目前为止,3.3kV碳化硅功率器件的市场供应仍然有限。Microchip已能提供700V、1200V和1700V裸片、分立器件、模块和数字栅极驱动器等碳化硅解决方案,3.3kV MOSFET和SBD的加入使这一系列解决方案更加丰富。 3.3kV碳化硅功率器件包括业界最低导通电阻为25mOhm的MOSFET和业界最高额定电流为90安培的SBD。MOSFET和SBD均提供裸片或封装形式。这些更强的性能水平能够帮助设计人员简化设计,创建功率更高的系统,并使用更少的并联元件来实现更小、更轻和更高效的电源解决方案。 在过去三年里,Microchip已经发布了数百款碳化硅功率器件和解决方案,确保设计人员能够找到满足其应用需求的合适的电压、电流和封装。Microchip在设计所有碳化硅MOSFET和SBD时都把客户的信任放在心中,提供业界领先的产品耐用性和可靠性。公司遵循由客户决定何时停产的惯例,只要客户需要,Microchip就会继续生产这些产品。 客户可以将Microchip 的碳化硅产品与公司的其他器件相结合,包括8位、16位和32位单片机(MCU)、电源管理器件、模拟传感器、触摸和手势控制器以及无线连接解决方案,从而以较低的系统总成本构建完整的系统解决方案。 与Microchip的MPLAB Mindi模拟仿真器模块和驱动板参考设计兼容的一系列碳化硅SPICE模型为扩大后的碳化硅产品组合提供支持。智能配置工具(ICT)使设计人员能够为AgileSwitch系列可配置数字栅极驱动器的高效碳化硅栅极驱动器建模。 供货与报价 3.3kV碳化硅裸片和分立器件提供多种封装选项,可批量订购。查询进一步信息,请访问官方网站 http://www.Microchip.com。(Chelsea:霍夫曼公关/hoffman) (完)
|
|
→ 『关闭窗口』 |
|
| |
|
|
|
|
|