【产通社，12月2日讯】Diodes公司（NASDAQ股票代码：DIOD）官网消息，其为金属氧化物半导体场效晶体管（MOSFET）推出节省空间、高热效率的TOLL（PowerDI 1012-8）封装，能在175°C、100瓦等级的DMTH10H1M7STLWQ及DMTH10H2M5STLWQ下运作。另外，80瓦等级的 DMTH8001STLWQ金属氧化物半导体场效晶体管（MOSFET）比TO263占据的PCB面积少了20%。产品的特色是剖面外的模板只有2.4毫米厚。这特色让产品成为高可靠性电力产品应用的最佳选择，像是能量热回收、积体启动交流发电机以及电动汽车的DC-DC转换器。


产品特点


TOLL封装采条带键合封装以达低封装电阻及较低的寄生电感，使得DMTH8001STLWQ、DMTH10H1M7STLWQ和DMTH10H2M5STLWQ能够在10W闸极驱动器下产生1.3mΩ、1.4mΩ和1.68mΩ的典型寄通电阻。此外，低寄生电感能改善EMI电路的表现。

由于焊接面积比TO263高出百分之五十，TOLL封装能使接面的热阻抗达0.65°C/W，MOSFET可处理高达270A的电流。镀锡的梯形凹槽铅锭有助于自动光学检测（AOI）流程。金属氧化物半导体场效晶体管（MOSFET）皆符合AEC-Q101等级规范，由IATF 16949认证的设施制造，并支持 PPAP 文件。


供货与报价


查询进一步信息，请访问官方网站http://www.diodes.com。（张怡，产通发布）    （完）