【产通社，10月26日讯】SK海力士（SK Hynix；KRX韩国证券交易所股票代码：000660.KS）官网消息，其首次成功开发现有最佳规格的HBM3 DRAM。HBM3是第四代HBM（High Bandwidth Memory）技术，由多个垂直连接的DRAM芯片组合而成，是一种高价值产品，创新性地提高了数据处理速度。

SK海力士强调，“通过此次HBM3，不仅实现了目前为止的HBM DRAM中最高的速度和最大容量，还大幅提高了质量水平。”

负责SK海力士DRAM开发的车宣龙副社长表示，“该公司推出了全球首款HBM DRAM，引领了HBM2E市场，并在业界内首次成功开发了HBM3。公司将巩固在高端存储器市场的领导力，同时提供符合ESG经营的产品，尽最大努力提高客户价值。”


产品特点


SK海力士研发的HBM3能够每秒处理819GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输163部全高清（Full-HD）电影（每部5GB）。与上一代HBM2E相比，速度提高了约78%。与此同时，该产品还内置了ECC校检（On Die-Error Correction Code）。HBM3通过该内置型ECC校检可以自身修复DRAM单元（cell）的数据的错误，因此产品的可靠性也大幅提高。

此次HBM3将以16GB和24GB两种容量上市。特别是24GB是业界最大的容量。为了实现24GB，SK海力士技术团队将单品DRAM芯片的高度磨削到约30μm，相当于A4纸厚度的1/3，然后使用TSV技术垂直连接12个芯片。

HBM3将搭载高性能数据中心，有望适用于提高人工智能（AI）完成度的机器学习（Machine Learning）和分析气候变化，新药开发等的超级计算机。


产品特点


SK海力士去年7月在业界首次开始批量生产HBM2E DRAM后，时隔仅1年零3个月开发了HBM3，巩固了该市场的主导权。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.skhynix.com，以及http://news.skhynix.com.cn。（张怡，产通发布）    （完）