【产通社，6月5日讯】台湾集成电路制造股份有限公司（TSMC；TWSE股票代码：2330；NYSE股票代码：TSM）官网消息，其在2021年技术论坛中揭示了先进逻辑技术、特殊技术、以及3DFabric先进封装与芯片堆栈技术之最新创新成果。台积公司连续第二年采用在线形式举行技术论坛，与客户分享台积公司最新的技术发展，包括支援下一世代5G智能型手机与WiFi 6/6e效能的N6RF制程、支援最先进汽车应用的N5A制程、以及3DFabric系列技术的强化版。共计超过5,000位来自全球各地的客户与技术伙伴注册参与6月1至2日举行的在线技术论坛。

台积公司总裁魏哲家博士表示：“数字化以前所未有的速度改变社会，人们利用科技克服全球疫情带来的隔阂，彼此进行连系与合作，并且解决问题。数位转型为半导体产业开启了充满机会的崭新格局，而台积公司全球技术论坛彰显了许多我们加强与扩充技术组合的方法，协助客户释放创新。”


先进技术的领导地位 – N5、N4、N5A、以及N3


台积公司于2020年领先业界量产5nm技术，其良率提升的速度较前一世代的7奈米技术更快。N5家族之中的N4加强版藉由减少光罩层，以及与N5几近兼容的设计法则，进一步提升了效能、功耗效率、以及晶体管密度。自从在2020年台积公司技术论坛公布之后，N4的开发进度相当顺利，预计于2021年第三季开始试产。

台积公司推出了5nm家族的最新成员－N5A制程，目标在于满足更新颖且更强化的汽车应用对于运算能力日益增加的需求，例如支援人工智能的驾驶辅助及数位车辆座舱。N5A将现今超级计算机使用的相同技术带入车辆之中，搭载N5的运算效能、功耗效率、以及逻辑密度，同时符合AEC-Q100 Grade 2严格的质量与可靠性要求，以及其他汽车安全与质量的标准，台积公司生气蓬勃的汽车设计实现平台也提供支援。N5A预计于2022年第三季问世。

台积公司N3技术于2022年下半年开始量产时将成为全球最先进的逻辑技术。N3凭借着可靠的FinFET晶体管架构，支援最佳的效能、功耗效率、以及成本效益，相较于N5技术，其速度增快15%，功耗降低达30%，逻辑密度增加达70%。


N6RF－支援5G时代的先进射频技术


相较于4G，5G智能型手机需要更多的硅晶面积与功耗来支援更高速的无线数据传输，5G让芯片整合更多的功能与元件，随着芯片尺寸日益增大，它们在智能型手机内部正与电池竞相争取有限的空间。

台积公司首次发表N6RF制程，将先进的N6逻辑制程所具备的功耗、效能、面积优势带入到5G射频（RF）与WiFi 6/6e解决方案。相较于前一世代的16nm射频技术，N6RF晶体管的效能提升超过16%。此外，N6RF针对6GHz以下及毫米波频段的5G射频收发器提供大幅降低的功耗与面积，同时兼顾消费者所需的效能、功能与电池寿命。台积公司N6RF制程亦将强化支援WiFi 6/6e的效能与功耗效率。


3DFabric系统整合解决方案


台积公司持续扩展由三维硅堆栈及先进封装技术组成的完备3DFabric系统整合解决方案。

?针对高效能运算应用，台积公司将于2021年提供更大的光罩尺寸来支援整合型扇出暨封装基板（InFO_oS）及CoWoS?封装解决方案，运用范围更大的布局规画来整合小芯片及高频宽存储器。此外，系统整合芯片之中芯片堆栈于晶圆之上（CoW）的版本预计今年完成N7对N7的验证，并于2022年在崭新的全自动化晶圆厂开始生产。

针对行动应用，台积公司推出InFO_B解决方案，将强大的行动处理器整合于轻薄精巧的封装之中，提供强化的效能与功耗效率，并且支援行动装置制造厂商封装时所需的动态随机存取存储器堆栈。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.tsmc.com.tw。（张嘉汐，产通发布）    （完）