【产通社，12月9日】英特尔（Intel）公司网站消息，其下一代制造工艺可把芯片电路缩小至32纳米，并将于2009年第四季度推出基于高能效、更密集的晶体管的产品。

英特尔公司将于下周在旧金山举行的国际电子器件会议（IEDM）上披露32纳米制程技术的相关细节及其它主题信息，这意味着其产品与制程发展计划Tick-tock战略再次得以成功实施。

Tick-tock战略指英特尔每隔12个月将交替推出全新的处理器微架构和领先的制程技术，这一独特的发展模式推动了产业的持续发展。随着明年32纳米芯片的推出，这将是英特尔公司连续第四年实现Tick-tock战略目标。

英特尔即将发布的32纳米论文及报告介绍了新的逻辑技术，融合了第二代高K金属栅极技术、面向关键图案形成层的193纳米浸没式光刻技术以及增强型沟道应变技术。这些特性进一步增强了英特尔处理器的性能和能效。与现有的其它32纳米技术相比，英特尔的制程技术拥有业内最高的晶体管性能和晶体管密度。

英特尔在IEDM上发表的其它论文涉及：一款低功率SoC版英特尔45纳米制程；基于复合半导体的晶体管；提升45纳米晶体管性能的衬底工程；为45纳米和更高节点集成化学机械抛光；以及集成硅光电子调制器阵列。英特尔还将参与一个有关22纳米CMOS技术的短期课程。
 
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