【产通社，12月8日讯】海力士半导体（Hynix）公司网站消息，作为世界最大的DRAM生产商，公司已经开发成功世界首例采用54nm工艺的2Gb移动DRAM。

该产品采用MCP(Multi Chip Package，多芯片封装)、PoP(Package on Package，封装级封装)等平台，存储容量是1Gb mobile方案的倍，最大操作速度高达400Mbps（1.2V供电电压），可以处理高达1.6Gbps的数据（32bit I/O），其功耗比现有产品低。

新产品采用海力士半导体（Hynix）独有的“单芯片”方案，符合JEDEC标准，能满足客户对SDRA和DDR DRAM的需求，可用于MID(Mobile Internet Device) 和UMPC(Ultra Mobile PC)等高密度应用需求。

查询进一步信息，请访问http://hscs.hynix.com/ch_sa/pr/article.jsp