【产通社，11月25日讯】恩智浦半导体（NXP Semiconductors）推出了最新的针对L波段雷达应用的LDMOS晶体管，该晶体管在1.2GHz到1.4GHz的频率之间带来达500W的突破性的RF输出功率。

针对大范围的L波段雷达应用，恩智浦的LDMOS L波段RF功率晶体管设置了新的效率标准（漏极效率大于50%）、增益（17dB）和达500W的耐用度。

恩智浦L波段RF晶体管(BLL6H1214-500)的主要表现参数包括：
·500W峰值输出功率（在1.4GHz,100µs脉冲宽度，25%占空比时）；
·17dB增益；
·50%漏极效率；
·更佳耐用度；
·能够承受高达5dB的过驱动能力；
·更佳脉冲顶降（低于0.2dB）；
·供电电压50V；
·无毒封装、符合ROHS标准。
 
恩智浦的这款器件结合了双极管的功率密度和适用于L波段雷达设计的LDMOS技术优势，其环保的陶瓷封装，可与BeO封装互相替代。BLL6H1214-500 LDMOS L波段RF功率晶体管将很快上市。查询进一步信息，请访问http://www.nxp.com/pip/BLL6H1214-500_PL_1.html