【产通社，11月25日讯】联华电子（UMC）宣布，尽管全球经济的不确定性仍高，联华电子在先进技术的研发依然持续前进，其高介电系数闸电介质(high-k gate dielectric)/金属闸极 (metal gate) 之先进闸极技术，已经通过45纳米SRAM产品良率的验证，此为HK/MG技术的重要里程碑。此项成果在展现HK/MG的技术效能与制程可靠性上是关键的第一步，而此技术将使用在下一代32/28纳米制程中。

2008年10月联华电子以其低漏电（LL）制程为基础，采用先进的双重曝影（double-patterning）浸润式微影术与应变硅工程，产出业界第一个28纳米SRAM芯片。联华电子针对不同的市场应用产品，在32/28纳米制程上使用两种闸极技术。联华电子针对低漏电制程采用传统硅闸极/氮氧化硅闸极氧化层技术，对于可携式应用产品例如手机芯片来说是非常理想的选择。而HK/MG之先进闸极技术则是针对着重速度的产品例如绘图、应用处理器与高速通讯芯片等。HK/MG技术同时可针对32/28纳米低功率应用产品进行客制化，以满足个别客户的需求。

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