【产通社，6月4日讯】苏州纳芯微电子股份有限公司（Suzhou Novosense Microlectronics Co.,Ltd；NEEQ股票代码：838551）官网消息，其NSi6602高压隔离半桥驱动芯片集高隔离耐压、高可靠性、高集成度、低延时、灵活封装配置等特性于一体，可应用在5G基站、数据中心、充电桩等新基建重点发展领域。


产品特点


作为一款隔离式双通道栅极驱动器，NSi6602具有优异的抗干扰能力，其抗共模瞬态干扰度（CMTI）可达150kV/us，可有效保证系统在各种恶劣环境下正常运行。NSi6602的典型传输延时值为19ns，高边、低边栅极驱动器之间最大传输延迟匹配5ns，最大脉宽失真6ns，有助于减小功率管的死区时间，进而提高系统效率。通过更小的封装尺寸、更强大的功能设计，NSi6602打破了传统非隔离式栅极驱动器普遍存在的工作电压上限低、传播延迟长、灵活性差等局限性，从而带来更高的功率密度，帮助系统更快速、更稳健地运行。

NSi6602性能特点：
- 隔离式双通道栅极驱动器；
- 5kV RMS隔离耐压；
- 输入侧供电电压：2.7-5.5V；
- 驱动端供电电压：最高可达25V；
- 4A驱动电流和6A吸收电流；
- 最高150KV/us抗共模瞬态干扰度；
- 19ns典型传播延迟；
- 5ns最大传输延迟匹配；
- 6ns最大脉冲宽度失真；
- 可编程死区时间；
- AEC-Q100认证；
- 过流、过温保护机制；
- 工作温度范围：-40~125°C。


供货与报价


查询进一步信息，请访问官方网站http://www.novosns.com/web。（Robin Zhang, 张底剪报）    （完）