【产通社，9月15日讯】Transphorm公司消息，其首款第三代PQFN88晶体管属于650V器件，有TP65H070LSG（源极片）和TP65H070LDG（漏极片）两种版本，并提供72mΩ的导通电阻。 

Transphorm全球技术营销和北美销售副总裁Philip Zuk表示：“我们关注的重点仍然是在提高GaN FET可靠性的同时，提供更高的功率密度。随着市场对高压GaN技术的兴趣持续增长，我们还希望为客户提供适合各种潜在应用的器件选择。我们在现有产品系列中推出72毫欧的源极和漏极PQFN88器件，这使我们能够同时满足这三个目标。” 


产品特点


Transphorm的第三代器件于2018年6月推出，是当时市场上最高质量、最高可靠性的[Q+R] GaN FET。它们与定制设计的低压MOSFET和GaN FET相配对，可提供： 
- 更安静的切换；
- 增加电流水平下的更高性能，以及最少的外部电路；
- 更高的抗噪能力（4V时的阈值电压）；
- 更高的栅极稳健性（+/-20V）。

第三代漏极和源极PQFN88封装包括更宽的引脚以提高板级可靠性（BLR），从而增加多层印刷电路板（PCB）设计的可靠性。所提供的漏极和源极接头配置还可适应高侧和低侧开关位置。这在将大焊盘焊接到非开关节点时，可提供更强的辐射抗扰度。此外，在现有的第三代TO-XXX FET产品中加入PQFN88器件，使工程师有机会使用Transphorm的最新技术探索GaN驱动的表面贴装应用。 

高压GaN功率电子器件的采用率正在不断上升。事实上，Transphorm已宣布有数家拥有各种终端产品的客户展现了该技术的价值主张，例如：服务器和工业电源、游戏PC供应、便携式太阳能发电机等。 


供应与报价


650V TP65H070LSG和TP65H070LDG（72mΩ）FET目前每千片订量的报价为7.47美元。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.transphormchina.com。（Donna Zhang, 张底剪报）    （完）