（产通社/深圳，12月12日讯）美光科技公司（Micron Technology, Inc.）（纽约证券交易所：MU）公布了其采用68nm DRAM工艺技术生产的新型1GB DDR2内存产品样品。这种新工艺结合了美光公司的6F2技术，生产出了芯片面积仅为56平方毫米的全球最小的1GB DDR2内存。预计，其最新的68纳米1GB DDR2产品将于明年初开始量产，随后DDR3以及其它低功耗DRAM产品也将于明年下半年投入量产。

美光公司内存集团副总裁Brian Shirley说：“美光公司在开发先进内存技术方面继续引领全球的发展。我们的68纳米工艺技术为用户要求苛刻的应用提供了一流的芯片面积、功耗及速度优势。”

这项最新的先进内存技术将主要针对服务器应用、移动应用及其它计算应用，在这些应用中，具有降低芯片面积、提高速度，减少功耗的优势最为关键。采用这项新工艺开发的即将推出 的DDR3产品将可以把速度提高到1600Mbps。与前代工艺相比，68纳米工艺还可减少约20%的功耗。采用68纳米工艺设计的未来的DDR3芯片将丰富美光公司Aspen Memory高能效产品系列，这些产品是专门针对急需降低能耗的应用，如数据中心服务器和笔记本电脑等。

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