【产通社，5月24日讯】ARM公司（LON股票代码：ARM；Nasdaq股票代码：ARMH）官网消息，其首款多核64位ARM v8-A处理器测试芯片采用台积电公司（TSMC）的10nm FinFET工艺技术。仿真基准检验结果显示，相较于目前常用于多款顶尖智能手机计算芯片的16nm FinFET+工艺技术，此测试芯片展现更佳运算能力与功耗表现。 

此款测试芯片的成功验证（设计定案完成于2015年第四季度）是ARM与台积电持续成功合作的重要里程碑。该验证完备的设计方案包含了IP、EDA工具、设计流程及方法，能够使新客户采用台积电最先进的FinFET工艺完成设计定案。此外，SoC设计人员还能利用基础IP模块（包括标准组件库、嵌入式内存及标准I/O）开发最具竞技争力的SoC，以达到最高效能、最低功耗及最小面积的目标。 

ARM执行副总裁兼产品事业部总裁Pete Hutton表示：“高级移动应用SoC设计的首项指导原则就是能效，因为现今市场对设备性能的要求越来越高。台积电的16纳米FFLL+工艺与ARM Cortex处理器奠定了能效的新标准。我们与台积电在10nm FinFET工艺技术上的合作，可确保在SoC层面上的效率，使我们的芯片合作伙伴在维持严苛的功耗标准的同时能够有更大空间实现创新。” 

台积电研发副总裁侯永清表示：“通过与ARM合作，使我们在工艺和IP的生态系统上能快速进展，并加速客户的产品开发周期。通力协作，我们正在定义能够持续促进移动市场发展的处理器技术。最新的成果就是结合ARM处理器与台积电10nm FinFET技术，为各种尖端移动和消费电子产品的终端用户带来崭新体验。”

此款最新的测试芯片是ARM与台积电长期致力于先进工艺技术的成果，基于2014年10月宣布的首次10nm FinFET技术合作。ARM与台积电共同的IC设计客户也获益于早期获得ARM Artisan物理IP与ARM Cortex-A72处理器的16nm FinFET+设计定案，此款高效能处理器已被当今多款市场主要和畅销计算设备采用。 

查询进一步信息，请访问官方网站http://community.arm.com。    （完）