富士通微电子（上海）有限公司6月20日宣布可提供富士通微电子2Mbit的FRAM存储芯片，这是世界上批量生产的最大容量FRAM。富士通MB85R2001和MB5R2002非易失性存储器具有高速数据写入、低功耗并可提供大量写周期等特征。它们是汽车导航系统、多功能打印机、测量仪表及其它使用非易失性存储器来存储各种参数、记录设备操作条件并安全保存信息的高端设备的理想选择。

FRAM的高速数据写入和大量可用写周期使得其可以作在办公设备中存储计数或参数、记录各种事项之用。FRAM有100亿个读/写周期，这相当于以每秒写入30次的速率连续写入10年。FRAM还可以在不使用电池的情况下存储数据达10年以上。在如应用于仪表等设备的过程中，富士通FRAM写机制确保即使在临时中断电源时，也可将数据高速写入FRAM，因此不致丢失有用数据。

MB85R2001的配置是256K x 8；MB85R2002的配置是128K x 16。这两种类型的读访问周期均为100纳ns，读/写周期为150ns。 操作电压为3-3.6V。

富士通微电子（上海）有限公司系统LSI产品市场部副总监郑国威先生表示：“FRAM技术非常适用于要求大量写周期、低功耗和高速数据写入的设备。这些新FRAM改进了功能，能提供更大的存储容量，以满足新型汽车、仪表及其它高级设计的要求。新型FRAM还具备富士通1MbitFRAM的电气特性，只需附加连接一个地址即可轻易移植到更高容量的版本。”

新型2Mbit FRAM产品具有与当前生产的富士通1Mbit FRAM产品（MB85R1001和MB85R1002）相同的电气特性和TSOP-48数据包。只需附加连接一个地址，即可移植到2Mbit产品上。因此，在同一个印刷电路板上，根据所需的存储容量，我们可以选择使用1Mbit或2Mbit的FRAM。

新型FRAM现提供48针TSOP，咨询具体价格等信息，请访问http://www.fujitsu.com/cn/fmc/news/archives/2007/0620.html。