【产通社，12月24日】集邦科技最新报告指出，由于厂商财务压力沉重，已无法再忍受DRAM赔本，台系厂商减产效应将延续至明年第一季，预期对现货市场影响性较大，集邦预估明年第一季DDR2 1Gb现货价有机会朝1美元迈进。

上周(12月16-22)现货市场颗粒大涨逾四成，DDR2 1Gb eTT颗粒价格自0.6美元上涨至0.89美元，涨幅达48.3%，DDR2 667Mhz 1Gb颗粒亦从0.58美元上涨至0.78美元，涨幅达34.5%。集邦指出，DDR2 667Mhz 1Gb价格在10月底跌破现金成本1美元后，仍缓跌至0.6美元，来到厂商的材料成本。DRAM厂在不堪亏损下，减产幅度愈来愈大。

根据集邦科技统计，在第四季台湾厂商12吋产能已减产近30%，韩系厂商在海力士停掉8吋产能后，12月再减12吋产能约20%，即使三星未减产，韩系厂商总产能在第四季仍减少16%。明年1月，适逢台湾农历过年，台系DRAM厂甚至延长休假至2周，第一季产能持续下降。

集邦科技预估，减产效应持续发酵，明年1-3月全球产出持续负成长。但全球经济不景气加上个人计算机第一季销售下降，DRAM合约价仅可望落底，上涨动能较弱。现货价则在主要供应厂台系厂商大减产能下，上涨动能较大，有机会上探1美元。

在财务压力下，台系厂商最早被迫减产，而台系厂商为现货市场主要供应者，其销货至现货市场比例：力晶为90%，茂德超过50%(含销售给金士顿)，南科30%，而国际大厂的现货销售比例均仅有5%或更低。

明年第一季，在力晶P1、P2、P3的总投片量持续下降下，产出大减，但其供应给合作伙伴尔必达的量维持不变，将使力晶本身的供货骤减。以力晶11月产出，约100 M/1Gb约当，扣除给尔必达40M，可销售颗粒为60M。明年1月在减产效应下，产出预估70M，扣除尔必达的40M，仅有30M。供货减少一半，且2月、3月供货量在今年12月、明年1月的投片量更低下，可销售颗粒少于30M/1Gb。茂德减产幅度更大，南科在11月亦减产30%(华亚科+自有12吋厂)。台系厂商减产，直接冲击现货市场供应。明年第一季，现货价将扭转持续低于合约价20%以上的局面，现货价有机会上涨高于合约价20%-30%。1Gb eTT颗粒供应将大为减少。因此价格有机会上攻至1-1.2美元。

DRAM十二月下旬的合约价则在计算机系统厂保守看待明年第一季销售量，DRAM需求量低，合约价再度下跌逾10%，1GB与2GB内存模块平均价格落在8美元及16美元左右。DRAM厂表示价格已接近底部，希望明年第一季力守持平，看需求情况是否有机会调涨。

此波DRAM寒流冲击下，使不轻言减产的DRAM厂，减产幅度甚至高达50%-70%，甚至考虑以接单式生产，以确保不会生产超过需求。继韩国、台湾政府，德国政府也正式援助德国DRAM厂奇梦达，虽外界质疑各国的救急不利DRAM产业复苏。但实际上，政府应急金仅能救急，就其应急金额而言，都仅能供短期营运资金，DRAM厂还是得减产以自救。期待全球性减产，能将DRAM的供过于求恶化转为平衡，使低迷的价格得以回到厂商现金成本之上。

集邦科技认为，在DDR2价格未回到现金成本1美元，DRAM厂商将在压力下持续减产。