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Forbes:闪存已到极限 Intel和Samsung开发相变内存
2008年12月7日    

【产通社,12月7日】综合媒体报道,消费性电子产品的价格近几年来愈来愈平易近人,小到让人几乎忘了它的存在的记忆储存装置,是为消费性电子产品带来竞争优势的重要因素。

苹果公司(Apple)推出的多媒体手机iPhone或数字随身听iPod,正是因为其中所使用的闪存(flash memory)价格不断下降,因此能够推出更低价的新一代产品。只有钥匙圈大小的USB快闪随身碟,现在的容量已经可以装得下好几部DVD格式的电影,而且成本低到可以当做展场赠品。容量达1TB (1024GB)的硬盘尺寸只有一本平装书大小,价格也仅要100美元,够装下一个人一辈子的家庭影片了。

Forbes报导,全球储存磁盘产业加上半导体记忆体产业,每年产值约900亿美元。但内存产业发展虽蓬勃,但获利却极微薄。韩国、日本与美国厂商于过去几年中大量供应芯片,使市场价格被压得非常低,对制造商而言几无利润。除此之外,另一个物理性的危机正威胁着内存制造商。现在的记忆芯片储存数据的密度已经变得非常高,但看起来,似乎芯片体积已经小到不能再小,已经到了极限。

第一个商业用记忆装置称为核心内存(core memory)在1950年代推出,需要许多电线连接,上面装有陶瓷环可以滑动在如缝衣针的针尖上,每个可储存1bit大小的数据。但到了现今,在许多重要电子设备中使用的硅芯片,密度已经非常高,大约只要100个电子的大小就能储存1bit数据,生产过程非常精密。然而,这个被机械爱好者视之为理所当然的进步,现在该如何突破物理性的限制,在更小的体积内装载更多的档案数据?

目前,内存制造商如Intel和Samsung已经开始开发全新的技术。其中最有可能研发成功的称为相变化内存(phase change memory),它会发出微小、频率精确的热能在类似玻璃的物质上。热能会使原子以混乱的方式排列,并排拒电流。但关闭热能,它就冷却成为紧密的结晶体,并具高传导性。读取数据的方式,就以测量其是否导电来判断。

由Intel与STMicroelectronics共同设立的企业Numonyx,近来已经研究出有两种不同的相变化可以被读取到,即在同样的储存空间里可以放入更多的资料。Numonyx技术长Edward Doller说,在实务研究上,相变化内存的储存容量大概每12个月就能再加倍。

由于相变化内存读取速度快,不会出现耗损情况、在不通电的状况下也能保持数据的储存,因此最有潜力成为未来普的内存。

若将它装置在计算机上,一方面可以拥有很大的数据储存量,又有RAM读取快速的特性。当晚上关机、早上再开时,还能维持在昨晚最后使用的状态,非常便利。这一点,快闪记忆体受限于其技术,无法当做计算机内的RAM来使用,也难以与相变化内存相抗衡。

    
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