（产通社，7月6日）受终端市场需求拖累及三星回收瑕疵品可能流入现货市场等影响，6月DRAM和NAND Flash价格同步滑落，DDR2 eTT 1Gb价格跌破2美元，进而影响内存模块厂6月营收表现，与5月相较几乎全数下滑。

业者指出，进入五穷六绝传统淡季时期，受到个人计算机(PC)市场需求转淡，DRAM模块销售量也未见明显需求出现，加上6月底上游DRAM大厂季底作帐的影响，现货价格持续呈现疲弱，也影响下游通路商备货意愿。

在NAND Flash价格方面，NAND Flash继5月买气低迷回调修正后，6月现货价格更出现罕见的急跌，主要是由于苹果需求未见明显及次贷通膨影响终端消费所致。根据集邦科技(DRAMeXchange) 统计，6月下旬的NAND Flash的合约价更大跌近20%，终端通路的需求买气呈现疲弱。

集邦科技认为，随着合约价走稳，现货市场随中国大陆奥运后市场机制恢复正常，以及市场库存陆续消化完毕后，1Gb DDRII有效测试颗粒（eTT）报价本季可望大幅反弹，上涨空间在10%至20%左右，有助带动DRAM厂及模块厂业绩持续走扬。

而面对近年来罕见的NAND型闪存 (Flash)崩盘危机，三星电子亦忍不住主动向下游客户广发宣传帖，释出苹果7月有5000万颗8Gb芯片订单的消息，配合5月调整产能效应浮现，认为7月NAND Flash的晶圆及记忆卡供应量将减少。而在短期急跌下，NAND Flash价格受到此消息激励，7月初出现连续性的反弹，现货价8G MLC产品已重回2.5美元价位。

集邦科技认为，由于5月及6月降价幅度较大，在伴随7月中旬后3G iPhone、智能型手机与低价计算机的新机种推出，预期下半年传统旺季效益，可带动NAND报价与市况自8月起回稳。整体来看，内存报价在历经5月及6月淡季效应后，7月初以来已出现止稳或反弹的力道，大幅减轻模块厂及NAND Flash厂商的营运压力，股价也出现止跌反弹。

不过，终端消费需求目前仍是受通膨及次贷的影响，进而压缩消费性电子市场及相关零组件的需求力道；至于旺季效应及苹果3G iPhone、智能型手机与低价计算机的降价效应，能否刺激消费需求，则仍待观察。