【产通社，7月6日】台湾媒体报道，台湾工研院着眼于未来半导体新技术发展，于6月30日成立了三维立体集成电路(3D IC)研发实验室，揭示台湾IC技术由平面进入立体堆栈及异质整合的新里程碑。

台湾工研院的3D IC研发实验室，不但是亚洲首座拥有完整12吋3D IC核心制程暨硅穿孔(Through Silicon Via；TSV)的实验室，更具有整合EDA、IC设计、制造、封装到试量产的完整制程，并预计在未来4年内投入新台币16亿元，替台湾发展3D IC技术奠定核心基础。

工研院电光所指出，以半导体产业平均每10年就面临新技术瓶颈的趋势来看，系统单芯片(SoC)发展即将面临新瓶颈。3D IC技术能有效增加产品效能、减低功耗、降低成本、缩小体积及整合异质IC，将会是未来主流技术，更是SoC的新出路。

目前，工研院3D IC研发实验室采用最先进蚀刻系统进行硅穿孔制程，已建置完成蚀刻开孔深宽比高达10:1的蚀刻系统，远超过一般半导体设备4:1的蚀刻能力，可缩小互连组件所需的晶片面积。