【产通社，3月24日】行业研究公司DRAMeXchange表示，动态随机存取记忆体（DRAM）芯片市场在创下历史最大跌幅后，预计将连续三年呈现上涨趋势，因为全球经济将复苏而产能扩张有限。
　
继三星（Samsung）、力晶（Powerchip Semiconductor）等内存芯片大厂对内存芯片产能提升事宜公开发表意见之后，美光科技（Micron）近日也表态称他们今年没有提升内存芯片产能的计划。美光表示，他们将专注与缩减内存芯片的制程尺寸，以便提升自己的产品竞争力。

不久前，三星公司芯片部门曾公开表态，希望业者不应盲目增加内存芯片的产量，而是应当把注意力放在提升产品制程工艺方面。而力晶公司也呼吁内存业者提升芯片产能时要非常谨慎，以避免犯下和过去一样的错误。
　　
早在2005年，全球多家内存芯片厂为了扩增产能，花费了大量的资金来安装新设备和兴建新厂房，结果2007-2009年间内存市场的产能过剩效应严重影响了内存芯片厂商的效应，大多数内存芯片厂商在此期间均在亏本经营。