【产通社，10月7日】集邦科技(DRAMeXchange)表示，随着全球经济可望在2010年复苏，明年各种NAND Flash的终端应用产品的出货量也将转为成长，未来手机、SSD、记忆卡将内建更高容量NAND Flash，但制造商明年扩产计划保守，预估2010年全球NAND Flash将出现缺货，供需缺口约2%。

集邦科技预估，明年MP3记忆卡及UFD(随身碟)等NAND Flash传统应用产品内建容量将持续提高，新的应用领域也将为NAND Flash市场带来新的成长动力，例如智能型手机出货量将持续成长，且搭配更高的NANDFlash内建容量，供货商也将更积极推广SSD在各种计算机相关的应用领域。

就NAND Flash供给面而言，集邦科技表示，目前多数NAND Flash供货商多处在由亏转盈的阶段，许多供货商将以2010年市场需求的成长率，来做为明年产出成长目标参考，以使NAND Flash市场能维持在较平衡的状态，供货商目前对明年的扩产计划仍多保守，预期2010年NAND Flash晶圆总产出量将仅比2009年微幅增加，估计明年资本支出仍将以制程技术升级为主。由于多数供货商于今年第4季才逐渐增加3x纳米制程技术产量，集邦科技预期，这些供货商量产2x纳米制程技术时程将落在明年下半年；此外，供货商也是自第4季才正式量产3-bit/cell MLC的产品，估计在经过一段推广期及产品技术改良后，出货比重才可望在明年下半年明显提高。

集邦科技估计，2010年NAND Flash需求位产出将比今年成长81%，达到10986M GB，至于2010年全球NAND Flash供给的位产出，将比今年成长79%，达到10759M GB；亦即明年全年供需缺口将由今年平衡状况转为偏紧，供需缺口约2%。

不过，集邦科技指出，季节性因素仍会影响季度的供需缺口，预期明年上半年NAND Flash市场因淡季因素，由今年下半年的供给偏紧，转为小幅供过于求，而明年下半年可望因旺季效应，转为供给吃紧。

集邦科技并预期，未来价格的波动性将会趋缓，而以反应制程技术提升的成本下降效益为主。