目前，世界范围内在GaN基高亮度LED及半导体全固态照明光源的研发方面居于领先水平的公司主要有：美国的Lumileds、HP/Agilent和Cree，日本的Nichia、ToyodaGosei、Sony、
Toshiba和其他综合性大公司（如NEC、Matsushita、Mitsubishi及Sumitomo等），德国的Osram等等。这些跨国公司多数有原创性的专利，引领技术发展的潮流，占有绝大多数的市场份额。
台湾的一些光电企业（如国联光电、光宝电子、光磊科技、亿光电子、鼎元光电等）以及韩国的若干研发单位，在下游工艺和封装以及上游材料外延方面也具备各自的若干自主知识产权，占有一定的市场份额。
调查显示，Nichia、Cree、Lumileds、OSRAM、ToyodaGosei、Toshiba和Rohm等占据了绝大多数市场份额的大公司拥有着该领域80%～90%的原创性发明专利（集中于材料生长、器件制作、后步封装等方面），而其余大多数公司所拥有的多是实用新型专利（主要针对器件可靠性以及产品应用开发方面进行研究）。
衬底专利
分散于多家企业由于GaN基材料极高的熔解温度和极高的氮气饱和蒸气压，使得获得同质外延大面积GaN单晶非常困难，一般采用异质衬底来进行外延生长。目前，有关大失配衬底异质外延生长方法已较为成熟，获得专利的衬底材料包括：AlN、GaN、Sapphire、6H-SiC、ZnO、LiAlO2、LiGaO2、MgAl2O4、Si、GaAs、3C-SiC及MgO。
以Nichia/HP/Lumileds/Toyoda-Gosei为代表的公司采用sapphire（蓝宝石）衬底来进行GaN材料的MOCVD异质外延生长。其中，Nichia在1994年和1995年申请获得的4项专利（其
专利号分别是US5433169、JP7312350、EP0599224和EP0622858）以及Lumileds的相关专利（US6537513）具有开创性意义。而Cree/Osram为代表的公司则采用SiC衬底进行MOCVD异质外延生长，并相应地发展和完善了基于SiC衬底的封装技术等后步工艺，其代表性专利的专利号是US5631190、US2002093020、US2003015708及US2003062525等等。当然，为了改善所生长GaN材料的晶体质量，人们发展了许多衬底预处理方法，这方面的专利主要集中于Nichia、Cree、Toyoda-Gosei和Sony等业界的先行企业手中。
以Sony/Toshiba/Sanya为代表的日本数家大公司致力于发展新一代超大容量信息存储DVD（Blu-ray Disc）光驱用蓝紫色激光二极管，均采用Free-standingGaN基材料来作为同质外延生长的基底。
最后，需要指出的一点是：在日本Nichia公司的Nakamura于1994年和1995年率先取得GaN蓝光LED的突破性成果之前，Cree（基于SiC）、Toshiba（基于Sapphire和MgAl2O4）和Toyoda（基于Sapphire）等企业于1991年到1993年间已经申请了若干件GaN基外延生长和衬底选用的美国专利，因而GaN材料衬底选用的核心专利散布于多家主要的业界公司手中，没有出现独家垄断的局面。
