目前，世界范围内在GaN基高亮度LED及半导体全固态照明光源的研发方面居于领先水平的公司主要有：美国的Lumileds、HP/Agilent和Cree，日本的Nichia、ToyodaGosei、Sony、
Toshiba和其他综合性大公司（如NEC、Matsushita、Mitsubishi及Sumitomo等），德国的Osram等等。这些跨国公司多数有原创性的专利，引领技术发展的潮流，占有绝大多数的市场份额。

台湾的一些光电企业（如国联光电、光宝电子、光磊科技、亿光电子、鼎元光电等）以及韩国的若干研发单位，在下游工艺和封装以及上游材料外延方面也具备各自的若干自主知识产权，占有一定的市场份额。

资料显示，Nichia、Cree、Lumileds、OSRAM、ToyodaGosei、Toshiba和Rohm等占据了绝大多数市场份额的大公司拥有着该领域80%～90%的原创性发明专利（集中于材料生长、器件制作、后步封装等方面），而其余大多数公司所拥有的多是实用新型专利（主要针对器件可靠性以及产品应用开发方面进行研究）。

在GaN基光电子器件中，大量的专利内容集中于发光区的结构设计，主要包括：普通双异质结（EP0599224）；一般的方形量子阱（包括单量子阱和多量子阱、EP1189289和JP11054847）；梯形量子阱（US6309459）；三角量子阱以及非对称量子阱（GB2361354）；采用非掺杂的载流子限制层（US2002093020）；活性层与p型层之间加入缓冲层（US2001011731）；采用多量子垒（MQB）做载流子限制层（US2001030317）等等。这些专利设计的目的均是为了提高活性区的发光效率。

以下以8项典型技术为代表，介绍基于物理机制和工艺技术的GaN基发光产品的全套器件制作专利：
（1）美国专利US5631190（Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures），即制作高效发光二极管和实现二极管结构的方法。其专利拥有者为Cree Research。
（2）美国专利US5912477（High efficiency light emitting diodes），即高效率发光二极管，其专利拥有者为CreeResearch。
（3）专利WO0141223（Scalable LED with improved current spreading），即具有改进的电流分布层的发光二极管。其专利拥有者为CreeRe-search。
（4）美国专利US6526082（P-contact for GaN-based semiconductors utilizing areverse-biased tunnel junction），即用反偏的隧道二极管制作GaN基半导体的P型接触层。其专利拥有者为Lumileds。
（5）美国专利US2002017652（Semiconductor chip for optoelectronics），即管芯的制作方法。其专利拥有者为Osram。
（6）US6538302（Semiconductor chip and method for the production thereof），即半导体芯片及其制作方法。其专利拥有者为Osram。
（7）专利DE10064448。其专利拥有者为Osram。
（8）美国专利US6078064（Indium gallium nitride light emitting diode），即InGaN发光二极管。其专利拥有者为EPISTAR。
（9）其他有关GaN基高亮度LED及全固态照明光源用管芯器件制作的重要专利还有WO03026029、US2003015708、US2003062525和US2002017696等等。

基于产业化技术需求的GaN基器件制作，既要考虑到工艺可操作性和简易性，同时也必须以一定的复杂性与冗余性手段来保证器件的可靠性与稳定性，这也是我们足可挖掘的技术创新点之一。