TFT-LCD发明于1960年，经过不断的改良在1991年时成功的商业化为笔记本电脑用面板，从此进入TFT-LCD的世代。

简单的说TFT-LCD面板的基本结构为两片玻璃基板中间夹住一层液晶。前端LCD面板贴上彩色滤光片，后端TFT面板上制作薄膜晶体管(TFT)。当施电压于晶体管时，液晶转向，光线穿过液晶后在前端面板上产生一个画素。背光模块位于TFT-Array面板之后负责提供光源。彩色滤光片给予每一个画素特定的颜色。结合每一个不同颜色的画素所呈现出的就是面板前端的影像。

TFT面板就是由数百万个TFT device以及ITO（Indium Tin Oxide，此材料为透明导电金属）区域排列如一个matrix所构成，而所谓的Array就是指数百万个排列整齐的TFT device之区域，此数百万个排列整齐的区域就是面板显示区。

不论TFT板的设计如何的变化，制程如何的简化，其结构一定需具备TFT device和控制液晶区域（光源若是穿透式的LCD，则此控制液晶的区域是使用ITO，但对于反射式的LCD是使用高反射式率的金属，如Al等。）

TFT device是一个开关器，其功能就是控制电子跑到ITO区域的数量，当ITO区域流进去的电子数量达到我们想要的数值后，再将TFT device关掉，此时就将电子整个关(Keep)在ITO区域。

（1）LTPS

Polysilicon (多晶硅)是一种以硅为基底，由许多约为0.1至数个um大小的硅晶粒所组合而成的材料。在半导体制造产业中，多晶硅通常先以LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition)沉积后，再以高于900°C的退火形成，此方法即为SPC (Solid Phase Crystallization)。然而此种方法却不适用于平面显示器制造产业，此乃因为玻璃的形变温度只有650°C。因此，LTPS技术即是特别应用在平面显示器的制造上的多晶硅成膜技术。

现在已有许多方法可以在玻璃或塑料基板上制造LTPS薄膜：
• Metal Induced Crystallization (MIC)：属于SPC方法之一。然相较于传统的SPC，此方法能在较低温下（约500~600°C）制造出多晶硅。这是因为一薄层金属在结晶前即先形成
在硅薄膜上，而此金属成分是降低结晶化所需要的活化能，使其能在较低温结晶的重要关键。
• Cat-CVD：一种无须经由退火处理、而可直接沉积多晶薄膜(poly-film)的方法。沈积温度可低于300°C。成长机制包含SiH4-H2混合体的catalytic cracking reaction。
• Laser anneal：此为目前最广为运用的方法。利用Excimer雷射加热及融化含氢量低的a-Si，然后再结晶为多晶硅薄膜。

LTPS薄膜的制备远比a-Si复杂许多，然而LTPS TFT的载子迁移率(mobility)比a-Si TFT高出一百倍，并且可以在玻璃基板上直接进行CMOS制程。以下列出几种p-Si优于a-Si的特性：
• 可直接整合驱动电路于玻璃基板上，意指较小的周边电路使用面积，而且降低成本。
• 高开口率：高迁移率代表使用几何尺寸较小的晶体管即可提供足够的充电能力，因此光穿透的有效面积变大。
• Vehicle for OLED：高迁移率代表可提供OLED Device较大之驱动电流，因此较适合作为主动型OLED显示器之基板。
• 模块紧密：由于部份驱动电路可制作于玻璃基板上，因此PCB上的电路相对简单，因而可节省PCB之面积。

（2）半穿透半反射式

液晶屏幕要放映映像是经由背光透过彩色滤镜，然后才映入我们的眼窗，这种搭载背光的模式称为“穿透式”液晶屏幕，其电力大部份经由背光装置消耗。背光越亮呈现于屏幕前之亮度相对也就越高，然而所耗之电量也越大。

“反射式”架构经由反射板之装置利用外部光源来显示画面，装置省电但在缺乏外部光源是就较难看到画面。

“半穿透半反射式(Transflective)”为两者之折衷，此装置以反射镜(Reflector)来取代反射板，除了可以透过背光以外也可以利用外部光源的反射，以达到省电、提高亮度与减轻重量的效果。

（3）MVA

MVA (Multi-domain Vertical Alignment)技术因液晶的特殊排列模式不但提高面板视角并解决大部份灰阶反转的问题。使用MVA技术的优点有：
•高对比度
•广视角
•无灰阶反转
•高分辨率
•快速反应时间