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射频前端芯片是移动智能终端产品的核心组成部分，追求低功耗、高性能、高集成度是其技术升级的主要驱动力，也是芯片设计研发的主要方向。行业中普遍采用的器件材料和工艺平台包括RF CMOS、RF SOI、GaAs、SiGe、IPD以及压电晶体等，逐渐出现的新材料工艺还有氮化镓、MEMS等，行业中的各参与者需在不同应用背景下，寻求材料、器件和工艺的最佳组合，以提高射频前端芯片产品的性能。
（1）射频开关
1）传导开关：射频开关的重要指标是可靠性。RF SOI是射频开关的主流工艺，它能够在提供射频开关优良性能的同时保证低成本，将长期占据绝对的市场份额。RF CMOS工艺也占有少量市场份额，目前基于GaAs-PHEMT工艺的开关已面临淘汰。
2）天线开关：相较普通开关，天线开关有着极高的耐压要求，同时导通电阻和关断电容对性能影响极大，由此对产品提出了极高的设计和工艺要求，而RF SOI工艺可以满足当下的频段及性能的要求。RF SOI实现天线开关的主要技术，市场占有率将维持在92%以上。
（2）射频低噪声放大器
无论是分立器件还是集成在射频模组中，5G的高频段应用都对LNA提出了新的要求。LNA的增益和噪声系数都需要提升以满足应用的要求。
RF CMOS、SiGe和RF SOI工艺都是LNA的主流工艺。RF CMOS是目前市场上非常成熟的一种工艺，具有非常好的成本优势，但性能优势不明显，只适合于低频段应用；SiGe工艺可以使LNA在高频段实现更好的增益和噪声系数性能的基础上拥有较小的尺寸并且有较低的功耗； RF SOI工艺不仅可以提高LNA的高频性能，可以集成LNA和开关功能，从而在智能手机射频前端模块实现中发挥重要作用，该工艺的LNA将实现最快的增长速度，
2020-2025年，RF CMOS、RF SOI和SiGe工艺的年均复合增长率将分别达到5%、19%和8%。
（3）射频滤波器
声表面波滤波器（SAW）凭借其成熟且低成本的优势，仍是占据射频滤波器市场份额最大的类型。随着智能手机频带间距逐渐缩小，频带隔离难度日益提升，在高频化的趋势下，带宽要求也进一步提高，滤波器的尺寸和插入损耗都尤为关键，这些都使得射频滤波器需达到更高的性能要求。由于IPD滤波器在高频下具有更小尺寸、更易集成、结构简单、加工成本低等优点，未来它将在高频段的应用有显著增长。LTCC滤波器具有小型化、易集成、高稳定性、设计灵活等优点，其市场占有率也将进一步提升。
2015-2025年，IPD和LTCC工艺的滤波器年均复合增长率将分别达到19%和13%。
（4）射频功率放大器
射频功率放大器的主要技术指标就是输出功率、线性度与效率。GaAs工艺能为PA提供最佳的应用性能，是PA的主流工艺。WiFi连接模组推动了基于SiGe工艺的PA进一步发展与应用。
（5）射频模组
射频前端器件以各种形式出现在手机中，其中集成架构可实现最佳性能和电路板优化，并简化OEM的组装，而分立器件则是在物料选择和供应链灵活性方面更具优势。
根据Yole Development的统计与预测，分立器件与射频模组将会长期共存，共享整个射频前端市场。虽然射频模组仍占据较大的市场，但未来5年，分立器件市场也将维持增长趋势。
（6）低功耗蓝牙微控制器
在万物互联的物联网时代，蓝牙技术迎来了最佳的发展机遇，蓝牙技术通过不断创新，满足不断增长的无线连接的需求，主要提供数据传输、定位服务、设备层网络、音频播放等方面的解决方案。蓝牙技术跟我们的生活息息相关，它应用在智能家居、可穿戴设备、智能医疗、汽车电子等领域，在这些市场上蓝牙技术已逐渐成为消费者期望的必备功能。新兴的低功耗蓝牙技术具有传输距离远、功耗低、连接速度快等特点，在整个低功耗无线通信市场上占有举足轻重的地位。
目前公司的低功耗蓝牙微控制器产品主要用于数据传输领域，应用场景包括智能家居、可穿戴设备等。根据蓝牙技术联盟的预测，蓝牙设备的出货量将持续上升，2024年蓝牙设备总出货量将达62亿台，蓝牙数据传输设备出货量将达15亿台，2019-2024年的年均复合增长率约为13%。（Donna Zhang，张底剪报）
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