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功率GaN技术已证明可为电源转换带来出色的效率。但对于汽车应用这样的市场，解决方案还需要出色的耐用性，才能确保高质量和可靠性。我们必须证明，Nexperia的GaN技术不但可以在高电压和高温下提供操作耐用性，还能在生产中兼顾质量、可靠性和可扩展性，以便成功地投入大电流、高功率的汽车应用。
Nexperia的GaN FET技术目前专注于650V的高功率应用。包括AC/DC、PFC、OBC和DC/DC转换，覆盖电信、服务器、存储、数据中心和工业市场领域，该技术在这些领域具有高效率水平。但更重要的是，应用还包括汽车电源转换和牵引逆变器，因此器件需要符合AEC-Q1O1耐用性水平。
以下产品参数来自我们的50mΩ/650V器件（GAN063-650WSA），但其它产品也具有以下的规格。
- 高可靠性栅极结构（±20V）和高阈值电压（4V）为Vgs瞬态尖峰提供了安全裕量；
- 高Vds瞬态电压规格,可以处理高达800V的开关瞬态尖峰；
- -55至175°C工作温度范围,使其非常适合恶劣环境；
- 极低的Vf（1.3V@12A）,可实现类似硅Mosfet的反向续流能力，同时Qrr非常低。
从上述产品参数可以看出，Nexperia GaN产品具有出色的耐用性。当然，我们仍需通过重要的测试证明该耐用性符合AEC-Q101标准。
汽车市场的一些标准堪称严苛，Nexperia的650V GaN FET已通过AEC-Q101 Rev D级别的认证测试。为了满足这一严格标准，产品需要通过各种测试，包括：高温反向偏压（HTRB）测试、高低温循环测试、栅极偏压测试、偏压和无偏压的湿度测试、Nexperia的高温工作寿命（HTOL）测试。最近的一份白皮书“650V GaN FET可提供出色效率，以及AEC-Q101认证所需的耐用性”中，Nexperia展示了一些测试结果，清楚地诠释了我们的GaN FET符合甚至超越了当前测试标准。
强调一点，在50mΩ/650V器件GAN063-650WSA的测试中，通过AEC-Q101 Rev D认证的条件是Rds（on）的偏移不超过20%。
作者简介：Dilder Chowdhury
Dilder获得多量子阱半导体器件专业的博士学位后，浸淫电子/半导体行业和学术界超过25年。他曾涉足各种半导体产品和技术的研发和营销，范围覆盖汽车、电信/服务器基础架构、计算和工业应用。他在高压（高达1200V）、低压（低至25V）和混合信号功率IC方面均有开发和创新。目前他担任功率GaN技术架构师，主要负责将Nexperia的这一新技术推向市场。除了研究新技术，Dilder闲暇时喜欢在不列颠群岛和欧洲探索未受破坏的历史遗迹。
查询进一步信息，请访问官方网站 http://efficiencywins.nexperia.cn。（Lisa WU, 365PR Newswire）
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