全耗尽（Fully Depleted）平面晶体管技术（FD-SOI）以极薄的顶层确保了晶体管的各种关键属性。FD晶圆由氧化埋层（BOx）和BOx之上的极薄硅层组成，从而为在此层建成的晶体管提供独特性能。
意法半导体公司研发科技部门副总经理Joël Hartmann表示：“FD-SOI技术不仅能得到FinFET全耗尽晶体管带给平面传统技术的全部好处，而且还能实现后者无法达到的先进的负偏压（back bias）技术。”
这类晶圆尤其适用于移动和消费级多媒体应用，与传统Bulk CMOS相比，在保持相同性能的前提下，FD晶圆可节省高达40%的功耗。同样，依据不同的设计优化，以全耗尽晶圆为基础的处理器峰值性能最高可增长60%。凭借超低供电（低于-0.7V）维持优异性能，因此许多超低功耗运行的移动设备才得以实现。
此外，全耗尽晶圆由标准晶圆厂工具处理制造，它不仅与诸多传统低功耗Bulk CMOS共用许多工艺步骤，节省了10%的生产步骤， 以极具竞争力的成本生产成品芯片。
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