加入收藏
 免费注册
 用户登陆
首页 展示 供求 职场 技术 智造 职业 活动 视点 品牌 镨社区
今天是:2025年6月17日 星期二   您现在位于: 首页 →  技术 → 电子元件(技术聚焦)
新型背光源:OLED、CCFL、HCFL和CNT
2007/2/1 12:17:48    产通学院,365PR NET

传统CCFL背光性能的改善和技术提升主要集中在解决CCFL背光的环保和色彩饱和度不足方面。韩国LGP公司提出的外置电极结构的EEFL背光,通过把传统置于CCFL灯管内部的电极置于灯管外部,避免了传统CCFL造成的水银与金属电极之间反应形成化合物,减少了水银的消耗,使灯管寿命大幅度延长,可达到接近10万小时的水平(传统CCFL背光源最多可达到5万-6万小时),同时可降低水银蒸汽的使用量,达到减少对环境污染的环保要求。EEFL外置电极属于电容结构,使用一个逆变器可驱动约20根灯管(普通CCFL一个逆变器仅可驱动1根-2根灯管),因此可以大幅度减少逆变器的使用数量,具有低成本的优势。

不过,EEFL背光技术由于仍然采用Hg蒸汽作为放电介质,没有彻底解决环保的问题,同时采用外置电极,需要较大的点灯电压,而其灯源的发展也尚未经历大量生产验证,故其可靠性是厂商最大疑虑。目前已有韩国厂商LGP和我国台湾地区部分厂商的产品推向市场。


新技术更符合环保要求


另一方面在环保和色彩饱和度上的改进是通过采用Xe气来替代传统CCFL灯管中的水银,作为荧光灯管的放电介质,达到了完全环保的目的。同时通过改善涂敷在玻璃管内壁上的荧光粉材料成分,可以使显示器的色彩饱和度达到90%-100%之间(采用普通CCFL背光的显示器色彩饱和度为75%左右),这一方案已经被大多数厂家所采用并有产品推向市场。但其不足之处在于发光效率不如传统Hg蒸汽的CCFL灯管,寿命较短。

韩国三星和德国的Osram也同时开发了平面FFL背光技术,其特点是只需单一光源,具有低成本、长寿命、高亮度的特点,因其面光源结构,亮度均匀性好,光学设计容易,结构简单,易于加工自动化。结合Xe气体放电技术,色彩饱和度可达90%以上,同时符合环保要求。不足之处在于功耗大,量产成品率还较低,导致目前的成本仍高于CCFL,一般只适用于大尺寸屏的应用,已有产品推向市场。

日本夏普公司开发了在传统CCFL背光中适当加入红色LED灯的Hybrid模式背光技术,弥补了CCFL背光在红色光谱中的不足,使液晶产品的色彩饱和度提高到接近100%的水平。


新型背光期待技术突破


在基于其他发光原理的各种背光技术开发方面,主要有基于有机电致发光的OLED背光技术,其主要推动厂家为有机发光及OLED厂家等,其技术特点是白色点可调、环保、面光源、结构简单。该技术目前尚处于研究开发阶段,OLED背光技术在未来能否成功取决于以下三个关键因素:更高的发光效率、更长的寿命以及有竞争力的价格。

其次,传统光源大厂飞利浦开发的热阴极HCFL背光技术也颇受瞩目。HCFL背光的首要优点在于使用灯管数目的减少,在相同的画面尺寸下,传统CCFL的背光需使用12-16根灯管,相对的HCFL却只要11根,其主要原因在于HCFL的效率较CCFL高。而灯管数目的减少,意味着逆变器使用数目减少,整体背光成本下降。此外,HCFL还具有驱动电压低、色彩饱和度高的特点。但是,相较于CCFL,HCFL存在灯管管径较粗的不足,不适用于强调轻薄的产品应用。

此外,基于碳纳米管技术的CNT背光技术也在研发之中。CNT背光技术的特点是使用真空放电器件,其亮度高、成本低、省电、轻薄、制造简单,并且环境稳定性好,但目前在光均性与点亮驱动等方面还不够稳定成熟,亮度均匀度大约可以达到79%左右。主要研究开发和推动厂家有三星、LG、Motorola、SONY等,目前还处于早期的研究开发阶段。

→ 『关闭窗口』
 dav
 [ → 我要发表 ]
上篇文章:照明术语:光通量、光强、照度、辉度、色温
下篇文章:电源管理芯片及选择
→ 主题所属分类:  电子元件 → 技术聚焦
 热门文章
 如何申请EtherCAT技术协会(ETG)会员资格 (186557)
 台北国际计算机展(COMPUTEX 2015)参展商名… (106203)
 上海市集成电路行业协会(SICA) (94311)
 USB-IF Members Company List (84573)
 第十七届中国专利优秀奖项目名单(507项) (76431)
 苹果授权MFi制造商名单-Authorized MFi Lic… (71550)
 台北国际计算机展(COMPUTEX 2015)参展商名… (69579)
 中国130家太阳能光伏组件企业介绍(3) (56730)
 PLC论坛 (53489)
 中国130家太阳能光伏组件企业介绍(2) (49984)
 最近更新
 一本面向设计工程师精心修订和更新的《ESD应用手册… (3月10日)
 表皮电子学的代表作:石墨烯纹身 (2月26日)
 在晶圆级大规模生产中引入脉冲激光沉积(PLD)技术 (1月21日)
 你听说过PiezoMEMS技术吗? (1月21日)
 旨在挑战EUV的纳米压印光刻技术(Nanoimprint L… (1月3日)
 新UV光刻机专利显著提高能效并降低半导体制造成本 (11月6日)
 将GaN极性半导体晶圆的两面用于功能器件 (9月30日)
 驱动增强终端侧生成式AI体验的技术:LoRA (6月11日)
 AI TOPS和NPU性能指标指南 (6月11日)
 驱动增强终端侧生成式AI体验的技术:多模态生成式AI (6月11日)
 文章搜索
搜索选项:            
  → 评论内容 (点击查看)
您是否还没有 注册 或还没有 登陆 本站?!
关于我们 ┋ 免责声明 ┋ 产品与服务 ┋ 联系我们 ┋ About 365PR ┋ Join 365PR
Copyright @ 2005-2008 365pr.net Ltd. All Rights Reserved. 深圳市产通互联网有限公司 版权所有
E-mail:postmaster@365pr.net 不良信息举报 备案号:粤ICP备06070889号