TI NexFET功率MOSFET技术可为高功率计算、网络、服务器系统以及电源降低能耗。这些高频率高效率模拟功率MOSFET可为系统设计人员实现最先进的DC/DC功率转换解决方案。
NexFET功率模块除提高效率与功率密度外，还能够以高达1.5MHz的开关频率生成高达40A的电流，可显著降低解决方案尺寸与成本。优化的引脚布局与接地引线框架可显著缩短开发时间，改善整体电路性能。此外，NexFET功率模块还能够以低成本方式实现与GaN等其他半导体技术相当的性能。
其中，CSD86350Q5D功率模块的主要特性与优势：
- 5 x 6毫米SON外形仅为两个采用5 x 6毫米QFN封装的分立式MOSFET器件的50%；
- 可在25A的工作电流下实现超过90%的电源效率，与同类竞争器件相比，效率高2%，功率损耗低20%；
- 与同类解决方案相比，无需增加功率损耗便可将频率提高2倍；
- 底部采用裸露接地焊盘的SON封装可简化布局。
了解进一步信息，请查询http://www.ti.com.cn，或者咨询TI半导体产品信息中心免费热线电话：800-820-8682。
