意法半导体（STMicroelectronics）MDmesh V技术达到了业内最低的单位芯片面积导通电阻，让新一代650V MOSFET将RDS(ON)降到0.079Ω以下。采用紧凑型功率封装，使能效和功率都达到业内领先水平。这些产品的目标应用是以小尺寸和低能耗为诉求的功率转换系统。
作为意法半导体在成功的多漏网格技术上的最新进步，通过改进晶体管的漏极结构，降低漏-源电压降，MDmesh V在单位面积导通电阻RDS(ON)上表现异常出色。此项优点可降低这款产品的通态损耗，同时还能使栅电荷量(Qg)保持很低，在高速开关时实现优异的能效，提供低‘RDS(ON) x Qg’的灵敏值（FOM）。
意法半导体功率MOSFET产品部市场总监Maurizio Giudice表示，MDmesh V产品在RDS(ON)上的改进将会大幅度降低PFC电路和电源的电能损耗，从而能够实现能耗更低、尺寸更小的新一代电子产品。这项新技术将帮助产品设计工程师解决新出现的挑战，例如，新节能设计法规的能效目标，同时再生能源市场也是此项技术的受益者，因为它可以节省在电源控制模块消耗的宝贵电能。
MDmesh V MOSFET的节能优势和高功率密度将会给终端用户产品的节能带来实质性提升，例如：笔记本电脑的电源适配器、液晶显示器、电视机、荧光灯镇流器、电信设备、太阳能电池转换器以及其它的需要高压功率因数校正或开关功率转换的应用设备。
意法半导体的MDmesh V MOSFET的另一项优点是，关断波形更加平滑，栅极控制更加容易，并且由于EMI降低，滤波设计更加简单。
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