英特尔在《一款1瓦以下到2瓦、基于45纳米高-K栅介质+金属栅极CMOS制造工艺、面向移动互联网设备的低功耗 IA 处理器（A Sub-1W to 2W Low-Power IA Processor for Mobile Internet Devices in 45nm High-К Metal-Gate CMOS）》 披露了有关其新型低功耗IA微架构的细节，该微架构是采用45纳米高-K栅介质+金属栅极制造工艺Silverthorne处理器的基础，这种处理器专门针对第一代移动互联网设备。

该微架构将与Core2 Duo指令集完全兼容，基于双码、双发射的按序执行并拥有16级流水线。该微架构还将采用划时代的功耗管理技术，如Deep Power Down（C6）状态、无网格时钟分配、针对功耗优化的寄存器组、时钟门控、CMOS总线模式和分割式IO电源，可大幅度降低动态和泄漏功耗。

得益于这些创新的功耗管理技术，采用45纳米高-K栅介质 + 金属栅极制造工艺的Silverthorne处理器可望达到将热功耗水平（TDP）降低10倍的效果（与英特尔2006年推出的超低电压单核处理器相比），同时能够提供高性能以获得全部互联网体验和运行应用软件。

该微架构系采用全新的设计，能以低于1瓦的功耗水平提供卓越性能。

更多信息，请访问英特尔http://blogs.intel.com/china