对未来万亿级计算应用的分析表明，在多个内核上运行多线程应用会大幅度提高对内存带宽的需求。片上SRAM速度很高，但从对于芯片面积需求角度讲代价过于昂贵。被用作“主内存”的DRAM密度要高得多，但速度较慢。而且由于不同的制造程序，它不能在微处理器片上集成。但可通过3-D堆叠方式与处理器紧密结合，但即便如此也无法接近片上存储的速度。

《带宽可达 128GB/s、采用 65 纳米逻辑制程的 2GHz 2Mb 2T 增益单元内存宏（2GHz 2Mb 2T Gain-Cell Memory Macro with 128GB/s Bandwidth in a 65nm Logic Process）》
 介绍了一种能用标准的微处理器工艺制造的新型集成DRAM内存。这为芯片设计师获得更快的片上内存并提高未来应用的性能提供了新的选择。该内存就像其他动态内存一样需要定期“刷新”，但它从而能够提供：
·相当于片上SRAM两倍的内存密度。
·比DRAM 快得多的速度：2GHz频率时高达128GB/s。

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