MicroShield整合RF屏蔽技术由RF Micro Devices公司推出，目前正在申请专利。通过将RF屏蔽技术直接整合到RFIC或模块中，MicroShield整合RF屏蔽技术可消除对体积较大、成本较高的外部防护层的需求，从而将RF部分的高度和体积要求分别降低25%和50%，并可为客户提供不受板布置影响的元件。
RF屏蔽技术降低了与电磁干扰(EMI)及射频干扰(RFI)相关的辐射，并可将对外部磁场的敏感度降至最低。传统RF屏蔽技术是使用封装及保护电路板RF部分的外部金属“罐”加以实施的。但这种实施成本高且非常耗时，因为用于RF屏蔽的这些“罐”必须根据单个电路板加以定制。此外，外部RF防护层还增加了RF区域的空间要求，更重要的是，它们会降低基础RF电路的性能。这种性能降低会产生应对外部防护层的这些影响所需的非常耗时的重新调谐过程。
通过将与外部磁场的接触降至最少，以及防止能量泄漏到主机设备的不必要区域，MicroShield整合RF屏蔽可降低EMI及RFI的影响。而且，通过消除对板布置的敏感性，MicroShield消除了电路重新调谐风险，从而可缩短产品上市时间以及降低RF实施成本。
在手机应用中，对板布置的敏感性是一个关键因素，因为手机设计者及制造商日益依赖手机平台来满足他们的时间及成本要求。由于EMI与RFI辐射通常是导致性能不一致的主要因素，因此在将这些平台应用到单独手机设计中时会遇到性能问题。凭借MicroShield，手机制造商能够放置高度复杂的RF模块，因为它们将是如同不受EMI/RFI影响的任何元件，从而提供了对板设计与布局更改而言均非常强大可靠的真正“即插即用”解决方案。
MicroShield整合RF屏蔽技术适用于任何模压（overmolded）封装技术，并且在RFMD的POLARIS 3 TOTAL RADIO解决方案中得到首次应用。进一步了解MicroShield整合RF屏蔽技术，请访问http://www.rfmd.com。
