化合物半导体砷化镓材料行业调研报告（2007版） - 研究报告（半导体器件）－全球企业门户

砷化镓（GaAs）半导体材料与传统的硅材料相比，它具有很高的电子迁移率、宽禁带、直接带隙，消耗功率低的特性，电子迁移率约为硅材料的5.7倍。因此，广泛应用于高频及无线通讯中制做IC器件。所制出的这种高频、高速、防辐射的高温器件，通常应用于激光器、无线通信、光纤通信、移动通信、GPS全球导航等领域。砷化镓除在I C产品应用以外，也可加入其它元素改变能带隙及其产生光电反应，达到所对应的光波波长，制作成光电元件。还可与太阳能结合制备砷化镓太阳能电池。

作为通信、微电子以及光电子的基础材料GaAs材料，世界上其晶体生长技术和器件制作技术已较成熟，其应用领域不断扩大。其中，砷化镓在WiMAX和WLAN应用市场上，将有明显增幅，预计到2010年，市场需求近10亿美元，增长23%。在砷化镓太阳能电池上，也有部分要量产的企业。在砷化镓微波元件需求上，可望再倍增，用于蜂窝回程通信的GaAs芯片市场2007年将达到峰期。未来砷化镓发展势必将与Si、GaN以及SiGe一同参与市场竞争。

本行业调研报告分为九个部分。从对GaAs产品的特点、品种、市场，以及世界及我国FCCL生产现状、生产厂家、发展前景、市场现状、下游生产企业现状、技术发展趋势、发展GaAs材料产业的建议等，都进行了全面、详细的综述。

在本报告编写的内容、数据、资料等方面，都是在近期通过深入、广泛的调研以及反复、大量的统计工作的基础上而产生的。因此，它对于海内外有意向建立、发展GaAs材料企业的投资者来说，对于有愿望对整个GaAs材料产业的现状及发展趋势要加深了解、认识的经营者来说，对于GaAs材料下游产品从业者来说，都是一份有很高价值的参考文献。

该报告的提纲内容如下:

1. 砷化镓产品简介

2. 砷化镓材料的特性
2．1 砷化镓材料的主要特性
2．2 砷化镓材料与硅材料的特性对比

3. 砷化镓材料的分类
3．1 按照应用领域不同分类
3．2 按照工艺方法不同的分类

4. 砷化镓生产的工艺技术
4．1 砷化镓晶体生长
4．1．1 各种砷化镓单晶制备工艺法概述
4．1．2 水平布里奇曼法（HB）
4．1．3 液封直拉法（LEC）
4．1．4 温度梯度凝固法（VGF）
4．1．5 蒸气压控制直拉法（VCZ）
4．2 砷化镓晶体加工
4．3 砷化镓单晶制备主要工艺参数
4．4 砷化镓单晶主要性能与质量参数
4．4．1 主要技术质量参数

5. 砷化镓IC加工产厂家
5．1 砷化镓外延片的工艺法
5．1．1 气相外延
5．1．2 液相外延
5．2 对砷化镓外延材料的性能要求
5．3 国内外砷化镓IC产业现状
5．3．1 日、美砷化镓IC生产厂家
5．3．2 台湾砷化镓IC生产厂家
5．3．3 国内砷化镓IC生产厂家

6. 砷化镓应用领域及市场需求
6．1 砷化镓应用领域概述
6．2 砷化镓在微电子领域的应用及市场现状
6．2．1 无线通讯市场需求
6．2．2 光通讯市场需求
6．2．3无线局域网（WLAN）市场需求
6．2．4 汽车电子产品市场需求
6．2．5 军事电子产品市场需求
6．3 砷化镓在光电子领域的应用及市场现状
6．3．1 砷化镓在LED方面的需求市场
6．3．2 我国在LED方面砷化镓的需求市场
6．3．3 我国LED的主要生产厂家情况
6．4 世界砷化镓的市场发展

7. 国内外砷化镓材料技术的发展
7．1 国外砷化镓材料技术的现状与发展
7．2 国内砷化镓材料技术现状及发展趋势

8. 海外砷化镓产业状况及主要生产厂家
8．1 海外砷化镓产业状况总述
8．2 日本砷化镓生产与市场现状
8．3 美国砷化镓生产与市场现状
8．4 台湾砷化镓生产与市场现状

9. 国内砷化镓产业状况及主要生产厂家
9．1 国内砷化镓材料的产业状况
9．2 国内砷化镓材料主要生产厂家的情况

10. 中国砷化镓材料产业发展建议及战略发展思路
10．1 发展砷化镓材料产业的建议
10．2 砷化镓材料产业的特性
10．3 发展砷化镓材料产业的战略思路

图表目录:
表1：砷化镓晶体特性
表2：GaAs晶体的物理特性
表3：GaAs材料与Si材料的特性比较
表4：GaAs晶体生长的各种方法的分类
表5：GaAs单晶各种生长工艺方法优缺点的比较
表6：砷化镓单晶制备主要工艺参数
表7：国内外技术水平对照
表8：砷化镓的外延片特性
表9：GaAsIC技术与要求
表10：日、美砷化镓IC生产厂家现状
表11：台湾砷化镓IC生产厂家概况
表12：砷化镓半导体的应用情况
表13：砷化镓在电子系统中的应用
表14：由砷化镓晶片制作的主要电子器件和光电子器件
表15：LED 产品分类
表16：可见光LED依发光颜色分类
表17：全球高亮度LED材料市场预测（2003-2008年）
表18：全球AlGaAs光电市场概况及预测（2003-2008年）
表19：2001-2009年间全球半导体化合物市场情况
表20：日本化合物半导体单晶的销售统计
表21：2004年-2005年（1-10月）日本化合物半导体晶片的出口统计
表22：2004年-2005年（1-10月）进口日本化合物半导体晶片的统计
表23：台湾砷化镓产业链条
表24：国内砷化镓单晶材料厂家的生产开发、生产情况
表25：我国砷化镓材料发展战略

图1：主要化合物半导体应用
图2：砷化镓单晶
图3：HB法设各及炉温分布示意图
图4：LEC法单晶生长示意图
图5：VGF法装置示意图
图6：砷化镓单晶制备工艺流程图
图7：GaAs应用领域
图8：砷化镓器件的应用领域
图9：GaAs市场链
图10：GaAs器件应用市场
图11：WLAN IC市场
图12：WLAN 802.11技术演进
图13：汽车雷达系统市场规模
图14：LED发光亮度
图15：全球高亮度LED市场
图16：全球高亮度LED材料市场概况及预测（2003-2008年）
图17：我国2006年间高亮度LED的应用市场结构
图18：半导体化合物市场规模
图19：III-V族化合物半导体材料占化合物半导体材料百分比
图20：全球半导体化合物市场规模
图21：全球半导体化合物IC市场规模
图22：世界生产商6'' GaAs产能
图23：2001年-2005年（上半年）日本化合物半导体单晶的销售额统计

查询报告全文，请访问http://www.c-e-m.com/report/。