由于智能手机的操作系统和应用软件的规模不断增加，存储在手机中的数据量也不断增大，NAND闪存阵列较低的总成本变得越来越引人注目。各种数据显示，到2006年，智能手机对NAND芯片的需求量将超过主要用于程序代码存储的NOR闪存市场，向着NAND+Mobile SDRAM的方向发展。
NOR和NAND走向融合
NOR和NAND在技术上各有优势，也都各有不足。能否将这两种技术的优势相结合，推出存取速度、容量和成本方面都具有优势的产品？事实上，无论是NOR闪存市场的老大Spansion公司，还是NAND闪存的头把交椅三星电子都已经在这样做，并且是基于各自的看家技术。
Spansion的战略是创建一个超越传统内存和存储界限的全新ORNAND架构，这使得客户有机会大幅提高下一代数字设备的功能。ORNAND闪存架构是将NOR 和NAND各自的优势集成在同一个基于MirrorBit技术的产品中。MirrorBit是一种基于NOR的技术，能够在一个闪存单元中存储两个或者更多位的数据。Spansion公司高级副总裁兼无线产品事业部总经理Amir Mashkoori说，将NOR的代码执行能力和NAND的数据存储能力有机的结合、优势互补开发的新型ORNAND闪存可以满足整个闪存市场的需求。Spansion的第一批新型ORNAND产品预计于2005年面世，它的突发脉冲式(Burst)写入速度将比现有的NAND产品高4倍。
与Spansion不谋而合的是，三星也推出了用于手机的90nm工艺1Gbit OneNAND闪存，该闪存在NAND的基础上融入了NOR闪存的特性。OneNAND是一种面向手机统一存储的专用内存。它兼具NOR闪存的高速数据读出功能和NAND闪存的数据存储密度。三星表示，这种单芯片基于NAND架构，具有集成式缓存和逻辑接口，可以保持高达108MB/s的数据传输速度。OneNAND具有一个66MHz的同步接口和高速缓存读出功能，增强了在高达108MB/s传输速度下的读出性能，据称其读出速度是普通NAND内存的四倍。
三星一直试图借助其在DRAM和闪存市场的领导地位，在专用内存领域建立事实性标准。三星的OneNAND闪存于2003年推出，已被10余家公司所采用。它的应用领域包括手机、PDA、DSC、DTV、游戏机和导航系统。
PSRAM
iSuppli预测，到2005年PSRAM将成为在手机市场占主导地位的内存类型。面对PSRAM技术背后巨大的商机，全球内存厂商各自结盟，现在已形成欧美、日本、韩国三大阵营竞争的态势：包括赛普拉斯、英飞凌、美光和瑞萨科技组成的CellularRAM联盟；由东芝、NEC、富士通等日系厂商组成的COSMORAM联盟；以及韩国两大内存厂三星及Hynix组成的UtRAM联盟。
CellularRAM联盟最初由英飞凌和美光组成，赛普拉斯于2002年9月加入，而瑞萨于2004年年初加入。CellularRAM有异步和同步两种可供选择，在读写操作中支持NOR闪存兼容的页面模式和全同步突发模式，可使峰值带宽高达每秒208MB或每秒1.5GB。CellularRAM 器件集成了多种低功耗功能并具有落入式兼容性，从而与异步低功耗SRAM具有相同的电压范围、封装及球栅分配。这种可兼容的架构使设计人员能够从SRAM顺利过渡到CellularRAM产品。据瑞萨介绍，目前16Mbit、32Mbit、64Mbit和128Mbit的产品都已经面世，并且瑞萨正在计划开发256Mbit的CellularRAM。
与CellularRAM竞争的联盟COSMORAM（Co-mmon Specifications for Mobile RAM，移动RAM通用规范）是2003年2月出现的，它由东芝、NEC和富士通组成。Integrated Silicon Solution公司也追捧符合COSMORAM规范的PSRAM。东芝、NEC和富士通的合作关系始于1998年末在“闪存 + SRAM”多芯片架构领域的合作，COSMORAM是这种多阶段合作的最新产物。遗憾的是，COSMORAM在引脚分配及其它方面与CellularRAM不兼容。目前，东芝已投下赌注，推动256Mbit的COSMORAM，并已开发出128Mbit的产品，可以采用0.175微米工艺生产。
而三星和Hynix所开发的UtRAM技术，采用由单一晶体管与电容所组成的低耗能储存单元，完全与标准SRAM兼容，目前样品已出货给客户。三星日前开发出的八裸片多芯片封装中，即采用了一片128Mb UtRAM和一片64Mb UtRAM。
更高的集成度的MCP和SIP
随着手机向高端发展，分离架构将逐渐被淘汰，越来越多的厂商会采用将SRAM和闪存集成在一起的MCP器件。MCP是在一个塑料封装内纵向堆迭大小不同的各类存储器和非存储器元器件的单封装混合技术，由于它比分离器件具有更小的体积和功耗，备受手机制造商的青睐。
目前MCP器件主要有NOR+PSRAM、NAND+LP-SDRAM或NOR+NAND+Mobile DRAM等几种形式。日前三星开发出了用于高容量移动产品的八裸片MCP。该八裸片MCP的尺寸为11mm×14mm×1.4mm，内含两片1Gb NAND闪存、两片256Mb NOR闪存、两片256Mb移动DRAM、一片128Mb UtRAM和一片64Mb UtRAM。
在MCP的基础上，一种更高集成度的系统封装（SIP）也将逐渐应用到手机存储器中。SIP是指将微处理器或数字信号处理器和各种存储器堆迭在一起，可以作为微系统独立运行的一种新型器件。英特尔著名的PXA27x系列移动应用处理器即是一种典型的SIP器件，它将Strate Flash、LP-SDRAM与微处理器堆迭封装在一起，进一步节省了硬件占用空间。同样，德州仪器（TI）的OMAP733也是在其多媒体应用处理器的OMAP730的基础上添加了128Mb或256Mb堆迭式移动DDR SDRAM。
