在电容式加速度传感器里，通常都包含了一个半导体材料（多晶硅）形成的机械结构。其制作工程采用类似于mask和etch工艺，在完全密封的环境里将器件进行气密焊接，以形成真空或者稀有气体的器件。这个器件的内部称为g-cell。在g-cell里，形象一点说，就好比一系列的横梁（beam），在横梁之间有一个可移动的模块(mass)。在加速度的影响下，移动模块可以从静止状态产生位移。当移动模块与一边的横梁距离缩短，同时会与另外一边的横梁的距离增大。加速度测量的原理就是根据这个位移而得到的。
g-cell位移和加速度之间的关系为：当中间的移动模块在加速度的作用下产生位移的时候，它与固定横梁的距离产生变化，每个电容数值也会随之变化。具体的：
C = NAε/D
其中，A是横梁的作用面积，是介电常数，D是横梁之间的距离，N是横梁的数量。
在X-Y轴的器件里包含了彼此间对应角度的两种结构。除此之外，器件的ASIC部分将两个电容的差异信号进行转换和滤波，输出大信号的电压供后面的电路进行运用。
