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英特尔在SEMICON分享Co-EMIB、ODI和MDIO芯片封装技术
2019/7/18 21:55:42   

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【产通社,7月18日讯】英特尔公司(Intel Corporation;NASDAQ股票代码:INTC)官网消息,其在旧金山SEMICON West大会分享了Co-EMIB、ODI和MDIO三种芯片封装技术。

Co-EMIB

英特尔的EMIB(嵌入式多芯片互连桥接)2D封装和Foveros 3D封装技术利用高密度的互连技术,实现高带宽、低功耗,并实现相当有竞争力的I/O密度。而英特尔的全新Co-EMIB技术能将更高的计算性能和能力连接起来。Co-EMIB能够让两个或多个Foveros元件互连,基本达到单晶片性能。设计师们还能够以非常高的带宽和非常低的功耗连接模拟器、内存和其他模块。

ODI

英特尔的全新全方位互连技术(ODI)为封装中小芯片之间的全方位互连通信提供了更大的灵活性。顶部芯片可以像EMIB技术下一样与其他小芯片进行水平通信,同时还可以像Foveros技术下一样,通过硅通孔(TSV)与下面的底部裸片进行垂直通信。ODI利用大的垂直通孔直接从封装基板向顶部裸片供电,这种大通孔比传统的硅通孔大得多,其电阻更低,因而可提供更稳定的电力传输,同时通过堆叠实现更高带宽和更低时延。同时,这种方法减少了基底晶片中所需的硅通孔数量,为有源晶体管释放了更多的面积,并优化了裸片的尺寸。

MDIO

基于其高级接口总线(AIB)物理层互连技术,英特尔发布了一项名为MDIO的全新裸片间接口技术。MDIO技术支持对小芯片IP模块库的模块化系统设计,能够提供更高能效,实现AIB技术两倍以上的响应速度和带宽密度。

这些全新技术共同扩充了英特尔强大的工具箱。它们将与英特尔的制程技术相结合,成为芯片架构师的创意调色板,让他们能够自由设计出创新产品。查询进一步信息,请访问官方网站http://www.intel.cn。(Lisa WU, 365PR Newswire)    (完)
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