【产通社，7月18日讯】英特尔公司（Intel Corporation；NASDAQ股票代码：INTC）官网消息，其在旧金山SEMICON West大会分享了Co-EMIB、ODI和MDIO三种芯片封装技术。

Co-EMIB

英特尔的EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）2D封装和Foveros 3D封装技术利用高密度的互连技术，实现高带宽、低功耗，并实现相当有竞争力的I/O密度。而英特尔的全新Co-EMIB技术能将更高的计算性能和能力连接起来。Co-EMIB能够让两个或多个Foveros元件互连，基本达到单晶片性能。设计师们还能够以非常高的带宽和非常低的功耗连接模拟器、内存和其他模块。

ODI

英特尔的全新全方位互连技术（ODI）为封装中小芯片之间的全方位互连通信提供了更大的灵活性。顶部芯片可以像EMIB技术下一样与其他小芯片进行水平通信，同时还可以像Foveros技术下一样，通过硅通孔（TSV）与下面的底部裸片进行垂直通信。ODI利用大的垂直通孔直接从封装基板向顶部裸片供电，这种大通孔比传统的硅通孔大得多，其电阻更低，因而可提供更稳定的电力传输，同时通过堆叠实现更高带宽和更低时延。同时，这种方法减少了基底晶片中所需的硅通孔数量，为有源晶体管释放了更多的面积，并优化了裸片的尺寸。

MDIO

基于其高级接口总线（AIB）物理层互连技术，英特尔发布了一项名为MDIO的全新裸片间接口技术。MDIO技术支持对小芯片IP模块库的模块化系统设计，能够提供更高能效，实现AIB技术两倍以上的响应速度和带宽密度。

这些全新技术共同扩充了英特尔强大的工具箱。它们将与英特尔的制程技术相结合，成为芯片架构师的创意调色板，让他们能够自由设计出创新产品。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.intel.cn。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）