第五届中国国际半导体照明论坛MOCVD技术培训议程

 
MOCVD技术国际短期培训班 I
时间：2008年07月24日 星期四 09:00-12:30
地点：深圳会展中心6F 水仙厅
 
主持人：
Michael Heuken 教授 / 德国爱思强公司
王钢 教授 / 中山大学
 
09:00-09:05
分会主席致辞
 
09:05-09:35
发光二极管器件技术 － 新产品发展趋势例如紫外发射器和非极性高功率器件
Michael Heuken 教授
德国爱思强公司
 
09:35-10:05
用于发光二极管量产的MOCVD反应腔技术
Bastian Marheineke 博士
德国爱思强公司
 
10:05-10:35
用于产品监测的光学在位测量技术发展近况
Kolja Haberland 博士
德国LayTec公司
 
10:35-10:50 茶歇
深圳会展中心5F 中厅
 
10:50-11:20
金属有机化学材料：安全性和纯度
Ping Gong 博士
阿克苏诺贝尔高纯度金属有机物
 
11:20-11:50
GaN基发光二极管结构表征方法
Joachim Woitok 博士
荷兰PANalytical公司
 
11:50-12:20
光致发光扫描表征方法用来提高发光二极管生产
Zhiqiang Li 博士
美国Nanometrics公司
 
12:20-12:30 概括和总结

 
MOCVD技术国际短期培训班 II
时间：2008年07月24日 星期四 14:00-17:00
地点：深圳会展中心6F 水仙厅
 
主持人：
Michael Heuken 教授 / 德国爱思强公司
王钢 教授 / 中山大学
 
14:00-14:30
如何使用以及优化发光二极管量产MOCVD系统
Charles Tsai 博士
爱思强（台湾）公司
 
14:30-15:00
Si衬底上生长GaN发光二极管－来自于产学联盟的最新结果
Colin J. Humphreys 教授
英国剑桥大学
 
15:00-15:30 茶歇
深圳会展中心5F 中厅
 
15:30-16:00
基于MOCVD生产的高功率光电子器件
Markus Weyers 博士
德国Ferdinand Braun Institute学院
 
16:00-16:30
MOCVD硬件及维护
Yi-Jun Sun 博士
爱思强（上海）公司
 
16:30-17:00 结束致辞