【产通社,6月6日讯】LSI公司(纽约证交所股票代码:LSI)消息,2012台北国际电脑展期间,其在台北市君悦酒店1037和1038号LSI套房演示了SandForce SF-2000闪存存储处理器(FSP),该产品采用Toshiba 19nm以及Intel 20nm NAND闪存---目前SSD应用中所使用的最先进闪存技术。
LSI SandForce FSP可为NAND闪存固态硬盘(SSD)提供同类最佳的性能、可靠性、耐用性和功效。公司现有的产品证明,LSI不仅可以帮助SSD制造商以更快的速度向市场推出成本更低的SSD产品,还可以加速闪存存储在云计算、企业和客户端应用中的广泛普及。到2015年SSD产品在客户端和企业市场领域的出货量将超过1亿,与2011年相比出货量增长56%。
随着闪存存储器的尺寸不断缩小,引入最先进的错误校验功能已成为当务之急。这是因为独立单元已很难维持一定荷质比,这会降低闪存器件的可靠性、数据完整性和数据保留特性。为了优化19nm和20nm闪存存储的可靠性和耐用性,LSI的SandForce SF-2000 FSP在512字节扇区内可校正多达55位错误,也成为业界首款可同时支持企业和客户端市场的处理器。LSI SandForce产品包括一个独特的纠错引擎,尽管当今和未来先进NAND闪存技术对闪存错误校验功能的要求不断变化和提高,但是该引擎凭借其独特的设计完全可以应对这些挑战。
为了满足客户对小尺寸闪存器件的可靠性和耐用性要求,LSI SandForce FSP采用了DuraClass高级NAND闪存管理技术。
DuraClass管理特性包括:
. DuraWrite:优化闪存的程序周期数量,有效地提高闪存耐用性。
. RAISE(独立芯片冗余阵列):驱动器可靠性得到大幅提高,可实现单驱动解决方案、RAID式的保护及恢复功能。
. 高级耗损平衡和监视:最佳耗损平衡算法可进一步增强闪存耐用性。
. 反复循环器:智能地执行“垃圾收集”操作,清除无效数据,使闪存耐用性影响最小化。
查询进一步信息,请访问官方网站http://www.lsi.com/sandforce。(环球电子导报)
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