【产通社，1月31日讯】联华电子（UMC）消息，其与新加坡半导体封测厂商——星科金朋(STATS ChipPAC)展示了全球第一件在开放式供应链环境下合作开发的内嵌硅穿孔(TSV) 3D IC技术。所展示的3D芯片堆栈，由Wide I/O内存测试芯片和内嵌TSV的28纳米微处理器测试芯片所构成，并且达成封装层级可靠度评估重要的里程碑。此次的成功，证明了透过联华电子与星科金朋的合作，在技术和服务上结合晶圆专工与封测供应链，将可以顺利实现高可靠度3D IC制造的全面解决方案。

星科金朋技术创新副总Shim Il Kwon表示，“芯片整合层次提升的趋势正快速演进当中，而3D IC技术在增进IC功能上势必扮演不可或缺的角色，实现的模式也将多元化。在开放式供应链的合作模式下，晶圆专工业尖端的TSV、前段晶圆工艺可以与封测业高度创新的中段、后段3D IC堆栈封测工艺整合成互补的完整平台，为半导体市场驱动可靠的3D IC解决方案。我们很高兴联华电子作为晶圆专工伙伴所做的承诺与投入，并且期待双方在未来更进一步的合作。此次推出的解决方案平台，将可协助客户掌握新市场契机。”

联华电子先进技术开发处简山杰副总表示：“我们认为3D IC无需局限在封闭的商业模式之下开发，因此联华电子致力与所有主要的封测伙伴合作开发3D IC，并且都有相当程度的进展。我们与封测领导厂商，例如星科金朋之间的丰硕合作成果，更加确立了3D IC开放式供应链的运作方式。对3D IC客户而言，此模式将可运作特别顺畅，因为在开发与执行过程中，晶圆专工与封装测试厂商可以充分发挥各自的核心优势，与封闭式3D IC开发模式相比，客户将受惠于更高的供应炼管理弹性，以及技术取得更加透明。”

联华电子与星科金朋经验证的3D IC开放式供应链，为业界供应炼间的合作，建立了实现共赢的重要范例与标准。在此一合作开发计划中，联华电子所提供的前段晶圆工艺，包含晶圆专工等级细间距、高密度TSV工艺，可顺畅地与联华电子28纳米Poly SiON工艺相整合。此项目获取的know-how也将运用于联华电子28纳米Hign-K/metal gate工艺。而中段与后段工艺部分，则由星科金朋执行晶圆薄化、晶圆背面整合、细微线距铜柱凸块，与高精密度芯片对芯片3D堆栈等。

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