【产通社，12月24日讯】中芯国际集成电路制造有限公司（SMIC；NYSE股票代码：SMI；HKEX股票代码：981）官网消息，其在背照式CMOS成像传感技术研发领域取得突破性进展，首款背照式CMOS成像传感测试芯片一次流片即获得成功，在低照度下同样获得高质量的清晰图像。这标志着中芯国际自主开发的背照式CMOS成像传感芯片全套晶圆工艺核心技术接近成熟，步入产业化阶段，更好地满足高端智慧移动终端的需要。该技术将于2013年与客户伙伴进行试产。

背照式CMOS成像传感芯片工艺技术开发的成功，有助于中芯国际进一步拓展晶圆代工业务，支持国内外客户500万像素以上高分辨率智能手机用图像传感芯片、以及高性能视频影像传感芯片产品的开发和生产。背照式传感器比前照式传感器拥有更强的感光能力，使如今的顶级智能手机在夜晚或室内成像更为明亮、清晰。在该技术步入产业化的同时，中芯国际也将积极开展基于3D集成电路的下一代成像传感芯片晶圆工艺的前期技术开发。

自2005年起提供前照式CMOS影像传感工艺以来，中芯国际即成为CMOS成像传感芯片的主要晶圆代工厂商，主要应用于手机及消费电子。为了提供全方位的CMOS成像传感晶圆代工服务，中芯国际和日本凸版印刷株式会社于2004年合资成立了凸版中芯彩晶电子（上海）有限公司，在中芯国际上海厂区专业生产CMOS成像传感器芯片专用的芯载彩色滤光镜和微镜头。

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