【产通社，12月22日讯】TriQuint半导体公司（纳斯达克代码：TQNT）官网消息，其四款新的氮化镓（GaN）HEMT射频功率晶体管具有卓越增益和效率，并且非常耐用。新产品可使放大器的尺寸减半，同时改进效率和增益，是商业通信和测试设备系统等类似的宽带系统应用的理想选择。

产品特点

新的氮化镓晶体管可在直流至6GHz宽广的工作频率上提供30-37W（CW）射频输出功率，其中：
 . 28V的T1G6003028-FS，工作频率为直流至6GHz，提供30W的输出功率，在3.5GHz和6GHz频率时的效率分别为55%和44%。
 . T1G6003028-FL提供相同的性能，并且采用法兰封装来满足不同封装的要求。
 . 32V的T1G4003532-FS和法兰封装的T1G4003532-FL是用于S波段及类似应用的理想选择。

所有四款新的氮化镓晶体管均可承受高达10:1的驻波比（VSWR） 失配而不损害功能，同时为在高漏偏压条件下工作而优化，从而降低系统成本和散热管理成本。

供货与报价

查询进一步信息，请访问官方网站http://cn.triquint.com/。