【产通社，11月22日讯】联华电子消息，其新一代80奈米小尺寸屏幕驱动芯片(SDDI)工艺，此工艺特色在于具备了晶圆专工业界最富竞争力的SRAM储存单元。此低耗电的尖端SRAM解决方案采用了先进的设计规则，以缩小储存单元尺寸到0.714平方微米，将比现有80奈米SDDI工艺中使用的一般0.81平方微米更加微缩许多，使智能手机得以更小芯片尺寸实现HD720/WXGA高画质。此工艺现已准备量产，并与数家主要客户针对HD720/WXGA画质的智能手机产品合作中。

联华电子12吋特殊技术开发处许尧凯资深处长表示，“随着现在智能手机的快速兴起，联华电子已在特殊技术开发上位居领先者地位，使我们的客户能够持续推陈出新，推动功能更强的产品问世。联华电子现有的80奈米与即将推出的55奈米SDDI工艺，可协助现有或新的客户，推出耗电更低且画质更高的尖端智能手机屏幕驱动芯片。”

联华电子已于0.13微米工艺平台出货逾3亿颗SDDI芯片，运用于WVGA与qHD画质的主流智能手机，而此次推出的新一代80奈米工艺，延续且稳固了联华电子在全球SDDI晶圆专工领域的领导者地位。除了0.13微米与80奈米SDDI工艺技术之外，联华电子也针对了配备Full-HD屏幕的次世代智能手机，推出业界第一个55奈米SDDI工艺，将于本季开放接受客户SDDI芯片设计开发使用。

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